Calculateur de sensibilité de photodiode

À 850 nm avec un rendement quantique externe de 80 %, la sensibilité vaut 0,5485 A/W : 1 microwatt produit 0,5485 microampere. Calculez rendement, courant, bruit de grenaille, NEP, seuil du gap et énergie du photon LED.

Sensibilité ideale (QE = 1)0,6856 A/W
Sensibilité0,5485 A/W
Rendement quantique externe0,8
Photocourant5,485e-7 A
Bruit de grenaille du signal (RMS)1,326e-11 A
Bruit de grenaille d’obscurité (RMS)5,661e-13 A
Bruit de grenaille total (RMS)1,327e-11 A
NEP de grenaille dans l’obscurité3,264e-14 W/sqrt(Hz)
NEP de grenaille sous éclairage7,651e-13 W/sqrt(Hz)
Seuil estimé par le gap1107 nm
Énergie du photon LED1,459 eV
Énergie du photon LED2,337e-19 J
30064098013201660200000,320,650,971,3Longueur d’onde (nm)Sensibilité (A/W)
Depuis le rendement quantique; Sensibilité (A/W) / Longueur d’onde (nm)

R = eta e lambda/(hc) = eta lambda[um]/1,23984 A/W (dénominateur arrondi) ; eta = R hc/(e lambda), Iph = R P. Bruit RMS = sqrt(2 e I B) ; les variances du signal et de l’obscurité s’ajoutent. NEP dans l’obscurité = sqrt(2 e Id)/R en W/sqrt(Hz) ; NEP sous éclairage avec Iph + Id. Gain unitaire ; bruits Johnson, amplificateur, 1/f et avalanche exclus. A R = 0, NEP indéfinie. Seuil = hc/(e Eg), sans courbe de réponse mesurée ; le matériau change seulement le seuil, pas le rendement saisi. E_LED = hc/lambda, ni tension directe ni rendement électrique.

Hamamatsu, Si photodiodes technical note; CODATA 2018; Hamamatsu (Si 1.12 eV); Ioffe NSM (Ge 0.661 eV); Liu et al. (2024), In0.53Ga0.47As 0.74 eV; room temperature.

nm
A/W
W
A
Hz
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Outil du connecteur : photodiode_responsivity

Exemple : Quel photocourant pour 1 microwatt a 850 nm avec un rendement de 80 % ?

À propos du connecteur

Cas de référence

Longueur d’onde (nm)Sensibilité ideale (QE = 1) (A/W)Énergie du photon LED (eV)
4050,326653,0613
6500,524261,9074
8500,685571,4586
13101,05660,94644
15501,25020,7999

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ScienceShot. Calculateur de sensibilité de photodiode. https://scienceshot.com/fr/calculateur-sensibilite-photodiode.

Sources : Hamamatsu, Si photodiodes technical note : responsivity, quantum efficiency, shot noise and NEP ; CODATA 2018 (Tiesinga et al., 2021), exact h, c and e ; Si 1,12 eV (300 K) : Hamamatsu, Silicon photomultipliers : The ultimate photosensor ? (2017), silicon bandgap ; Ge 0,661 eV (300 K) : Ioffe Institute NSM Archive, Germanium : band structure, basic parameters at 300 K ; In0.53Ga0.47As 0,74 eV (300 K) : Liu et al., Low-Temperature Growth of InGaAs Quantum Wells Using Migration-Enhanced Epitaxy (2024), lattice-matched In0.53Ga0.47As.

Relu par un physicien ayant une expérience du CERN

Calcul ScienceShot.

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ScienceShot. (2026). Calculateur de sensibilité de photodiode [Calculateur en ligne]. https://scienceshot.com/fr/calculateur-sensibilite-photodiode

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