ScienceShot Semi-conducteurs

Semi-conducteurs

Semi-conducteurs traite de ce qui se passe à l'intérieur du cristal. Porteurs et trous, bande interdite, durée de vie, dopage, croissance du silicium, et miniaturisation du transistor du CMOS planaire au FinFET puis au nanosheet. Une large partie suit les particules chargées dans le silicium : perte d'énergie, straggling, distribution de Landau et dommages d'irradiation, soit la physique des détecteurs à pixels et à diamant. Vous saurez estimer la charge qu'une particule laisse dans un capteur. La conception de circuits et le marché des puces n'y figurent pas.

7 articles, 3 calculateurs. Chiffres vérifiés le 1 nov. 2026.

10 meV100 meV1 eV10 eV1,12 eVgap du Si1,42 eV GaAs3,62 eVpar paire e-t
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5 articles dans l’ordre de lecture. Environ 45 minutes au total.

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  5. La distribution de Landau et la perte d’énergie des particules ionisantesLes particules chargées perdent leur énergie par à-coups en traversant la matière. La distribution de Landau explique ce comportement quantique.10 min

Instruments

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Calculateur de perte d’énergie

Particule, matériau et épaisseur en entrée ; perte moyenne, valeur la plus probable et straggling en sortie.

Bethe et LandauBibliothèque des matériaux

Recherchez et comparez masse volumique, énergie d’excitation et propriétés radiatives de 17 matériaux.

PDG et NISTCalculateur du signal des détecteurs

Paires électron-trou et charge collectée dans le silicium et le germanium.

PDG; NIST ESTAR

Prochainement : Densité de porteurs intrinsèques et gap en fonction de la températureSi, Ge, GaAs, SiC, GaN

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