Calcolatore

Registro delle prestazioni dei qubit

La migliore fedeltà di una porta a due qubit riportata nel registro è 99,9916%, con ioni intrappolati. Valore migliore per piattaforma, con data e fonte: ioni intrappolati 99,9916% (Oxford Ionics (an IonQ company), ottobre 2025, preprint); qubit superconduttori 99,94% (University of Maryland, College Park; University of Wisconsin–Madison, luglio 2024, preprint); spin di difetti (NV e simili) 99,93% (QuTech, Delft University of Technology, marzo 2025, con revisione paritaria); atomi neutri 99,854% (Harvard University, aprile 2026, preprint); qubit di spin nei semiconduttori 99,81% (Princeton University, novembre 2021, preprint).

Risultato SSF-001, 9 novembre 2026

Record di errore delle porte a due qubit, dal 2016 al 2026

I qubit superconduttori sono passati da 9 × 10−3 nel 2016 a 6 × 10−4 nel 2024. Il miglior risultato di ogni anno si dimezza circa ogni 1,7 anni e da oltre due anni non c’è un nuovo record. A questo ritmo l’errore arriva a 1 × 10−4 intorno al 2030.

Gli ioni intrappolati hanno l’errore misurato più basso, 8,4 × 10−5 (ottobre 2025), circa 10 volte inferiore a quello del 2016.

Gli atomi neutri sono passati da 5 × 10−3 nel 2023 a 1,5 × 10−3 (aprile 2026).

I qubit di spin nel silicio restano fermi a circa 99,8% (errore 1,9 × 10−3) da novembre 2021, e da cinque anni non c’è un nuovo record.

Il miglior errore delle porte a due qubit nel tempo

Ogni linea segue il minore errore per porta a due qubit (1 meno la fedeltà, scala logaritmica) riportato finora su una piattaforma. I punti sono i singoli risultati: pieni se con revisione paritaria, vuoti se preprint, a rombo se del produttore.

Errore per porta a due qubit (1 meno la fedeltà)

Grafico a linee in scala logaritmica: il minore errore riportato per porta a due qubit di ogni piattaforma, da 2015 a 2026.0,01%0,1%1%10%201520172019202120232025Data di pubblicazioneSpin in semiconduttoreAtomo neutroSpin di difettoSuperconduttoreIone intrappolatoSpin di difetto, NV electron-nuclear register: 99,93%, 2025-03-21, Con revisione paritariaAtomo neutro, Harvard five-pair parallel Rydberg experiment: 97,4%, 2019-08-16, PreprintAtomo neutro, Harvard/MIT/QuEra tweezer array: 99,5%, 2023-04-11, PreprintAtomo neutro, Princeton tweezer array: 98%, 2023-05-09, PreprintAtomo neutro, Harvard/MIT/QuEra reconfigurable array: 99,5%, 2023-12-07, PreprintAtomo neutro, Caltech 88Sr tweezer clock: 99,62%, 2024-02-25, PreprintAtomo neutro, Princeton 171Yb tweezer array: 99,4%, 2024-06-03, PreprintAtomo neutro, Caltech 88Sr Rydberg tweezer array: 99,71%, 2024-07-29, PreprintAtomo neutro, Atom Computing Cs array: 99,35%, 2024-08-15, PreprintAtomo neutro, Atom Computing Yb array: 99,4%, 2024-11-18, PreprintAtomo neutro, MPQ 88Sr tweezer array: 99,45%, 2025-06-12, PreprintAtomo neutro, Harvard/MIT/QuEra 448-atom architecture: 99,5%, 2025-06-25, PreprintAtomo neutro, Harvard neutral-atom array: 99,854%, 2026-04-28, PreprintAtomo neutro, cryogenic 133Cs atom array: 99,76%, 2026-10-29, PreprintAtomo neutro, Infleqtion Sqale (available now): 98,8%, 2026-11-07, ProduttoreSpin in semiconduttore, GaAs double-quantum-dot qubits: 90%, 2017-01-19, Con revisione paritariaSpin in semiconduttore, 2-qubit SiMOS device 28Si: 94,7%, 2018-05-14, PreprintSpin in semiconduttore, 2-qubit SiMOS device 28Si: 98%, 2018-05-14, PreprintSpin in semiconduttore, Si/SiGe two-qubit device: 92%, 2019-04-18, Con revisione paritariaSpin in semiconduttore, 2 donor nuclei + shared electron, 28Si: 99,37%, 2021-06-06, PreprintSpin in semiconduttore, 2-qubit Si/SiGe processor: 99,65%, 2021-07-01, PreprintSpin in semiconduttore, 2-qubit Si/SiGe device: 99,5%, 2021-08-05, PreprintSpin in semiconduttore, 2-qubit Si/SiGe processor: 99,81%, 2021-11-23, PreprintSpin in semiconduttore, Si/SiGe shuttling-mode 2-qubit gate: 93%, 2022-02-03, PreprintSpin in semiconduttore, encoded exchange-only silicon quantum dot device: 96,3%, 2022-02-08, PreprintSpin in semiconduttore, encoded exchange-only silicon quantum dot device: 99,3%, 2022-02-08, PreprintSpin in semiconduttore, 2-qubit SiMOS devices: 99,8%, 2023-03-07, PreprintSpin in semiconduttore, Si/SiGe hopping-spin processor: 99,3%, 2024-02-28, PreprintSpin in semiconduttore, 4-qubit donor processor (3 P atoms + electron), 28Si: 99%, 2024-04-12, PreprintSpin in semiconduttore, two-qubit device in natural Si/SiGe: 91%, 2024-09-15, PreprintSpin in semiconduttore, 2-qubit foundry device, 28Si: 99%, 2024-10-21, PreprintSpin in semiconduttore, mobile (shuttled) spin qubits in silicon: 99%, 2025-03-19, PreprintSpin in semiconduttore, 2-qubit foundry devices (4 devices), 28Si: 99%, 2025-09-24, Con revisione paritariaSpin in semiconduttore, four SiMOS devices fabricated with extreme-ultraviolet lithography: 99,1%, 2026-07-14, PreprintSuperconduttore, fixed-frequency transmon pair (cross resonance): 99,1%, 2016-03-15, PreprintSuperconduttore, four-qubit linear array (parametric gates): 93%, 2017-06-20, PreprintSuperconduttore, transmon pair with parametric iSWAP: 94%, 2017-06-20, PreprintSuperconduttore, transmon pair with parametric CZ: 91%, 2017-06-20, PreprintSuperconduttore, two-transmon tunable-coupler circuit: 94,8%, 2018-10-09, PreprintSuperconduttore, two-transmon device with parametric entangling gate: 99,2%, 2019-01-23, PreprintSuperconduttore, two-transmon processor, flux-pulsed CZ: 99,1%, 2019-03-06, PreprintSuperconduttore, two-transmon pair, XY gate family: 97,35%, 2019-12-09, PreprintSuperconduttore, two-transmon pair, XY gate family: 99,01%, 2019-12-09, PreprintSuperconduttore, two-transmon device, parametric CZ: 99,1%, 2020-05-12, PreprintSuperconduttore, two-transmon device, tunable ZZ coupling: 97,9%, 2020-05-18, PreprintSuperconduttore, fixed-frequency transmons with tunable coupler: 99,5%, 2020-06-21, PreprintSuperconduttore, multi-transmon processor (SNZ CZ): 99,93%, 2020-08-17, PreprintSuperconduttore, IBM Falcon, six-qubit line: 99,36%, 2020-08-19, PreprintSuperconduttore, two transmons with a tunable coupler: 99,76%, 2020-11-02, PreprintSuperconduttore, two transmons with a tunable coupler: 99,87%, 2020-11-02, PreprintSuperconduttore, two capacitively coupled fluxoniums: 99,2%, 2020-11-05, PreprintSuperconduttore, fixed-frequency transmons, ZZ suppression: 99,77%, 2020-11-13, PreprintSuperconduttore, 65-qubit laser-annealed processor: 98,7%, 2020-12-15, PreprintSuperconduttore, fixed-frequency transmons with tunable bus: 99,85%, 2021-01-19, PreprintSuperconduttore, four-chip modular processor: 99,1%, 2021-02-26, PreprintSuperconduttore, four-chip modular processor: 98,3%, 2021-02-26, PreprintSuperconduttore, two transmons with tunable coupler: 99,3%, 2021-04-08, PreprintSuperconduttore, two-transmon tunable-coupling device: 99,43%, 2021-05-12, PreprintSuperconduttore, transmon pair, SQiSW gate: 99,72%, 2021-05-13, PreprintSuperconduttore, transmon pair, SQiSW gate: 99,31%, 2021-05-13, PreprintSuperconduttore, fixed-coupling transmons, crosstalk cancellation: 99,81%, 2021-06-01, PreprintSuperconduttore, Zuchongzhi 2.0 (66 qubits): 99,24%, 2021-06-28, PreprintSuperconduttore, two-transmon device, CZ: 99,65%, 2021-09-13, PreprintSuperconduttore, two-fluxonium processor: 99,72%, 2021-11-26, PreprintSuperconduttore, flip-chip integrated processor: 98,6%, 2021-12-06, PreprintSuperconduttore, ETH 17-qubit surface-code device: 98,5%, 2021-12-07, PreprintSuperconduttore, Zuchongzhi 2.1 (17-qubit surface code): 98,965%, 2021-12-27, PreprintSuperconduttore, two transmons with tunable coupler: 99,38%, 2022-02-14, PreprintSuperconduttore, two fluxoniums with tunable coupler: 99,55%, 2022-03-30, PreprintSuperconduttore, two fluxoniums with tunable coupler: 99,23%, 2022-03-30, PreprintSuperconduttore, two-fluxonium cross-resonance: 99,49%, 2022-04-25, PreprintSuperconduttore, IQM long-distance transmon coupler device: 99,81%, 2022-08-19, PreprintSuperconduttore, two fluxoniums with transmon coupler (FTF): 99,922%, 2023-04-12, PreprintSuperconduttore, two transmons with parametric coupler: 99,47%, 2023-05-04, PreprintSuperconduttore, two transmons with parametric coupler: 99,44%, 2023-05-04, PreprintSuperconduttore, inductively coupled fluxonium pair: 99,53%, 2023-08-30, PreprintSuperconduttore, two fluxoniums with tunable inductive coupler: 99,72%, 2023-09-11, PreprintSuperconduttore, two transmons with a double-transmon coupler: 99,9%, 2024-02-29, PreprintSuperconduttore, two qubits with parametric coupling circuit: 98,3%, 2024-03-04, PreprintSuperconduttore, transmon processor with coupler: 99,4%, 2024-06-17, PreprintSuperconduttore, inductively coupled fluxonium pair: 99,94%, 2024-07-22, PreprintSuperconduttore, two remote transmons: 99,15%, 2024-07-29, PreprintSuperconduttore, two transmons with tunable coupler: 99,61%, 2024-10-19, PreprintSuperconduttore, two transmons with tunable coupler: 99,82%, 2024-10-19, PreprintSuperconduttore, transmon-coupler-transmon: 99,37%, 2025-02-05, PreprintSuperconduttore, two fluxoniums with non-local coupler: 99,37%, 2025-02-26, PreprintSuperconduttore, two-transmon tunable-coupler device: 99,93%, 2025-08-22, PreprintSuperconduttore, two-transmon device, adiabatic CZ: 99,878%, 2026-04-06, PreprintSuperconduttore, fluxonium tunable-coupler processor: 99,9%, 2026-04-15, PreprintSuperconduttore, double transmon coupler device: 99,827%, 2026-04-29, PreprintSuperconduttore, 64-qubit fixed-frequency transmon chip: 98,34%, 2026-06-11, PreprintSuperconduttore, 84-qubit processor: 99,25%, 2026-07-01, PreprintSuperconduttore, two frequency-tunable transmons, optically transmitted control: 99,676%, 2026-08-20, PreprintIone intrappolato, two 43Ca+ ions in a room-temperature trap: 99,9%, 2015-12-14, PreprintIone intrappolato, JQI/UMD five-qubit programmable computer: 98%, 2016-03-15, PreprintIone intrappolato, NIST 9Be+ laser-gate system: 99,92%, 2016-03-31, PreprintIone intrappolato, microfabricated surface trap, near-field microwave gate: 99,7%, 2016-06-27, PreprintIone intrappolato, fast two-qubit gate in a trapped-ion pair: 99,8%, 2017-09-20, PreprintIone intrappolato, PTB/Hannover microwave near-field trap: 98,2%, 2019-02-19, PreprintIone intrappolato, Innsbruck ion-trap quantum computer (up to 10 qubits): 99,6%, 2019-02-22, PreprintIone intrappolato, IonQ 11-qubit system (13 ions): 97,5%, 2019-03-19, PreprintIone intrappolato, 17-ion 171Yb+ chain: 97%, 2019-05-24, PreprintIone intrappolato, two-ion symmetric-subspace benchmarking: 99,8%, 2019-10-31, PreprintIone intrappolato, Honeywell QCCD system (H0): 99,21%, 2020-03-03, PreprintIone intrappolato, 43Ca+-88Sr+ mixed-species gate: 99,8%, 2020-04-17, PreprintIone intrappolato, Honeywell QCCD system model H1: 99,7%, 2021-07-15, PreprintIone intrappolato, Innsbruck ion-trap Molmer-Sorensen gate calibrated by Bayesian protocol: 99,87%, 2021-12-02, PreprintIone intrappolato, Honeywell Quantinuum H1-1: 99,74%, 2022-08-03, PreprintIone intrappolato, Honeywell Quantinuum H1-2: 99,79%, 2022-08-03, PreprintIone intrappolato, Quantinuum System Model H2 (32-qubit race-track): 99,816%, 2023-05-05, PreprintIone intrappolato, IonQ Forte (30 qubits): 99,722%, 2023-08-09, PreprintIone intrappolato, IonQ Forte (30 qubits): 99,536%, 2023-08-09, PreprintIone intrappolato, cryogenic surface trap, microwave Molmer-Sorensen gate: 99,5%, 2024-02-20, PreprintIone intrappolato, cryogenic surface trap, microwave Molmer-Sorensen gate: 99%, 2024-02-20, PreprintIone intrappolato, 5-ion 40Ca+ chain, axial modes: 99%, 2025-07-01, PreprintIone intrappolato, 43Ca+-88Sr+ mixed-species gate: 99,8%, 2025-09-22, PreprintIone intrappolato, 43Ca+-88Sr+ mixed-species gate: 99,6%, 2025-09-22, PreprintIone intrappolato, all-electronic maximally entangling Molmer-Sorensen gate: 99,974%, 2025-10-10, PreprintIone intrappolato, Oxford Ionics (IonQ) smooth-gate demonstration: 99,9916%, 2025-10-20, PreprintIone intrappolato, Quantinuum Helios (98 qubits): 99,921%, 2025-11-07, PreprintIone intrappolato, ion crystals up to 12 ions, structured-light gate: 99,5%, 2026-03-08, PreprintIone intrappolato, Quantinuum System Model H1: 99,9%, 2026-11-07, ProduttoreIone intrappolato, Quantinuum System Model H2: 99,9%, 2026-11-07, ProduttoreIone intrappolato, Quantinuum Helios: 99,921%, 2026-11-07, Produttore
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357 risultati su 357

PiattaformaDispositivo e gruppoMetricaValoreStatisticaFonteData
Ione intrappolatoQuantinuum System Model H1QuantinuumFedeltà della porta a un qubitPagina senza data99,998%MiglioreProduttore Quantinuum, Quantinuum System Model H1 product page (undated)Dove: H1 page headline: "99.998% single-qubit gate fidelity"
Ione intrappolatoQuantinuum System Model H1QuantinuumFedeltà della porta a due qubitPagina senza data≥ 99,9%MiglioreProduttore Quantinuum, Quantinuum System Model H1 product page (undated)Dove: H1 page headline: ">99.9% two-qubit gate fidelity"
Ione intrappolatoQuantinuum System Model H2QuantinuumFedeltà della porta a un qubitPagina senza data≥ 99,99%MiglioreProduttore Quantinuum, Quantinuum System Model H2 product page (undated)Dove: H2 page headline: ">99.99% single-qubit gate fidelity"
Ione intrappolatoQuantinuum System Model H2QuantinuumFedeltà della porta a due qubitPagina senza data≥ 99,9%MiglioreProduttore Quantinuum, Quantinuum System Model H2 product page (undated)Dove: H2 page headline: ">99.9% two-qubit gate fidelity"
Ione intrappolatoQuantinuum HeliosQuantinuumFedeltà della porta a un qubitPagina senza data99,9975%MiglioreProduttore Quantinuum, Quantinuum Helios product page (undated)Dove: Helios page headline: "99.9975% single-qubit gate fidelity"
Ione intrappolatoQuantinuum HeliosQuantinuumFedeltà della porta a due qubitPagina senza data99,921%MiglioreProduttore Quantinuum, Quantinuum Helios product page (undated)Dove: Helios page headline: "99.921% two-qubit gate fidelity"
Atomo neutroInfleqtion Sqale (available now)InfleqtionFedeltà della porta a due qubitPost-selezionatoPagina senza data99,48%MiglioreProduttore Infleqtion, Sqale specifications (product page, undated)Dove: Sqale Specifications table, "Available now" column
Atomo neutroInfleqtion Sqale (available now)InfleqtionFedeltà della porta a due qubitPagina senza data98,8%Dispositivo singoloProduttore Infleqtion, Sqale specifications (product page, undated)Dove: Sqale Specifications table, "Available now" column
Atomo neutroInfleqtion Sqale (available now)InfleqtionFedeltà della porta a un qubitPagina senza data99,98%Dispositivo singoloProduttore Infleqtion, Sqale specifications (product page, undated)Dove: Sqale Specifications table, "Available now" column
Atomo neutroInfleqtion Sqale (available now)InfleqtionFedeltà della porta a un qubitPagina senza data99,9%Dispositivo singoloProduttore Infleqtion, Sqale specifications (product page, undated)Dove: Sqale Specifications table, "Available now" column
Atomo neutrocryogenic 133Cs atom arrayPrinceton UniversityFedeltà della porta a due qubit99,76% ±0,08Dispositivo singoloPreprint Jin et al., arXiv:2610.40329Dove: abstract (arXiv abstract page)
Spin di difettosingle NV in isotopically engineered diamondQuTech, Delft University of Technology / QSTT2 con disaccoppiamento dinamico11,2 s ±0,8Dispositivo singoloCon revisione paritaria Ten-second electron-spin coherence in isotopically engineered diamond, npj Quantum…Dove: abstract (text as indexed in the OpenAlex record W7153272921)
Spin di difettosingle NV in isotopically engineered diamondQuTech, Delft University of Technology / QSTT2 echo6,8 ms ±0,1Dispositivo singoloCon revisione paritaria Ten-second electron-spin coherence in isotopically engineered diamond, npj Quantum…Dove: abstract (text as indexed in the OpenAlex record W7153272921)
Ione intrappolatoUMass/UCSB integrated SiN laser experimentUMass Amherst, UC Santa BarbaraFedeltà della porta a un qubit99,61% ±0,03MediaPreprint Caron et al., Trapped Ion Qubit Gates and Entanglement Driven by an Integrated Phot…Dove: Abstract
Ione intrappolatoUMass/UCSB integrated SiN laser experimentUMass Amherst, UC Santa BarbaraT2 echo1,75 ms ±0,033Dispositivo singoloPreprint Caron et al., Trapped Ion Qubit Gates and Entanglement Driven by an Integrated Phot…Dove: Abstract
Ione intrappolatoUMass/UCSB integrated SiN laser experimentUMass Amherst, UC Santa BarbaraT2 Ramsey659 µs ±9Dispositivo singoloPreprint Caron et al., Trapped Ion Qubit Gates and Entanglement Driven by an Integrated Phot…Dove: Abstract
Spin di difettoVB- in isotopically enriched h10B15NThe University of Tokyo / NIMST2 echo0,1087 µs ±0,0055Dispositivo singoloCon revisione paritaria Spin-coherence characterization of boron vacancy defects in hexagonal boron nitride…Dove: abstract (text as indexed in the OpenAlex record W7159606453)
Spin di difettoVB- in isotopically enriched h10B15NThe University of Tokyo / NIMST2* (decadimento libero)0,0138 µs ±0,0005Dispositivo singoloCon revisione paritaria Spin-coherence characterization of boron vacancy defects in hexagonal boron nitride…Dove: abstract (text as indexed in the OpenAlex record W7159606453)
Superconduttoretwo frequency-tunable transmons, optically transmitted controlUniversity of Science and Technology of ChinaFedeltà della porta a due qubit99,676% ±0,041Dispositivo singoloPreprint Li et al., arXiv:2608.19602Dove: abstract (arXiv abstract page)
Ione intrappolatoMainz 40Ca+ trapped-ion processorUniversity of Mainz, TU DarmstadtFedeltà della porta a un qubit99,94% ±0,03Dispositivo singoloPreprint Miklin et al., Sound and Efficient Certification of High-Quality Qubit Operations:…Dove: Abstract
Spin in semiconduttoreSi single-spin deviceRIKEN Center for Emergent Matter Science / QuTechFedeltà della porta a un qubit≥ 99,999%Dispositivo singoloPreprint arXiv:2608.11072 (single-qubit gate fidelity beyond 99.999%)Dove: abstract (text as indexed in the OpenAlex record W7202242994)
Spin in semiconduttorefour SiMOS devices fabricated with extreme-ultraviolet lithographyIMEC; UNSW SydneyFedeltà della porta a due qubit99,1%MigliorePreprint Caekenberghe et al., arXiv:2607.13121Dove: abstract (arXiv abstract page)
Superconduttore84-qubit processorBeijing Academy of Quantum Information SciencesFedeltà della porta a due qubit99,25%MedianaPreprint Zhang et al., arXiv:2607.01422Dove: abstract (arXiv abstract page)
Spin in semiconduttoreGe 2DHG device from enriched 70GeH4Beijing Academy of Quantum Information SciencesT2* (decadimento libero)≥ 20 µsDispositivo singoloPreprint arXiv:2606.28695Dove: abstract (text as indexed in the OpenAlex record W7166726047)
Superconduttore64-qubit fixed-frequency transmon chipThe University of Osaka; Center for Quantum Information and Quantum Biology, The University of OsakaFedeltà della porta a due qubit98,34%Dispositivo singoloPreprint Machino et al., arXiv:2606.13010Dove: abstract (arXiv abstract page)
Superconduttoredouble transmon coupler deviceUniversity of Massachusetts Lowell; U.S. Air Force Research Laboratory Information DirectorateFedeltà della porta a due qubit99,827%Dispositivo singoloPreprint Tiwari et al., arXiv:2604.27080Dove: abstract (arXiv abstract page)
Atomo neutroHarvard neutral-atom arrayHarvard UniversityFedeltà della porta a due qubitPost-selezionato99,941% ±0,003Dispositivo singoloPreprint Evered et al., High-fidelity entangling gates and nonlocal circuits with neutral at…Dove: text: abstract and p.2, Fig. 2B
Atomo neutroHarvard neutral-atom arrayHarvard UniversityFedeltà della porta a due qubit99,854% ±0,004Dispositivo singoloPreprint Evered et al., High-fidelity entangling gates and nonlocal circuits with neutral at…Dove: text: abstract and p.2, Fig. 2B
Superconduttorefluxonium tunable-coupler processorQuantum Science Center of Guangdong-Hong Kong-Macao Greater Bay AreaFedeltà della porta a due qubit99,9%MigliorePreprint Zhan et al., arXiv:2604.13363Dove: abstract (arXiv abstract page)
Superconduttoretwo-transmon device, adiabatic CZRigetti ComputingFedeltà della porta a due qubit99,878%MediaPreprint Chen et al., arXiv:2604.05048Dove: abstract (arXiv abstract page)
Spin in semiconduttoreAEON exchange-only qubitHRL Laboratories / UCLAFedeltà della porta a un qubit99,86%Dispositivo singoloCon revisione paritaria Demonstration of an always-on exchange-only spin qubit, Nat. Commun. (2026)Dove: abstract (text as indexed in the OpenAlex record W7148831401)
Ione intrappolatoTsinghua Yb+/Ba+ ion-pair clock qubitTsinghua UniversityT2 Ramsey37700 s ±10900Dispositivo singoloPreprint Pi et al., Beyond-Ten-Hour Coherence in a Decoherence-Free Trapped-Ion Clock Qubit,…Dove: Abstract
Ione intrappolatoion crystals up to 12 ions, structured-light gateUniversität Innsbruck; Alpine Quantum TechnologiesFedeltà della porta a due qubiterrore 0,005Dispositivo singoloPreprint Faorlin et al., arXiv:2603.07548Dove: abstract (arXiv abstract page)
Spin in semiconduttoredressed ST qubit in GeIBM Research ZurichFedeltà della porta a un qubit99,68%Dispositivo singoloCon revisione paritaria A dressed singlet-triplet qubit in germanium, Nat. Commun. (2026)Dove: abstract (text as indexed in the OpenAlex record W4406841304)
Spin in semiconduttoredressed ST qubit in GeIBM Research ZurichT2* (decadimento libero)1,9 µsDispositivo singoloCon revisione paritaria A dressed singlet-triplet qubit in germanium, Nat. Commun. (2026)Dove: abstract (text as indexed in the OpenAlex record W4406841304)
Ione intrappolatoQuantinuum Helios (98 qubits)QuantinuumFedeltà della porta a un qubit99,9975% ±0,0001MediaPreprint Ransford et al., Helios: A 98-qubit trapped-ion quantum computer, arXiv:2511.05465Dove: Abstract
Ione intrappolatoQuantinuum Helios (98 qubits)QuantinuumFedeltà della porta a due qubit99,921% ±0,002MediaPreprint Ransford et al., Helios: A 98-qubit trapped-ion quantum computer, arXiv:2511.05465Dove: Abstract
Ione intrappolatoQuantinuum Helios (98 qubits)QuantinuumFedeltà di preparazione e misura dello stato99,952% ±0,006MediaPreprint Ransford et al., Helios: A 98-qubit trapped-ion quantum computer, arXiv:2511.05465Dove: Abstract
Ione intrappolatoOxford Ionics (IonQ) smooth-gate demonstrationOxford Ionics (an IonQ company)Fedeltà della porta a due qubit99,9916% ±0,0007Dispositivo singoloPreprint Hughes et al., Trapped-ion two-qubit gates with >99.99% fidelity without ground-sta…Dove: Abstract
Spin di difettosingle GeV- centre with 13C neighbourForschungszentrum Julich / Universitat UlmFedeltà di lettura95,8%Dispositivo singoloPreprint arXiv:2510.09164Dove: abstract (text as indexed in the OpenAlex record W4417123838)
Spin di difettosingle GeV- centre with 13C neighbourForschungszentrum Julich / Universitat UlmFedeltà di lettura93,7%Dispositivo singoloPreprint arXiv:2510.09164Dove: abstract (text as indexed in the OpenAlex record W4417123838)
Ione intrappolatoall-electronic maximally entangling Molmer-Sorensen gateUniversity of OxfordFedeltà della porta a due qubiterrore 0,00026 ±0,00002Dispositivo singoloPreprint Sutherland et al., arXiv:2510.09508Dove: abstract (arXiv abstract page)
Spin in semiconduttore2-qubit foundry devices (4 devices), 28SiUNSW Sydney / DiraqFedeltà della porta a un qubit≥ 99%Dispositivo singoloCon revisione paritaria Steinacker et al., Nature (2025), DOI 10.1038/s41586-025-09531-9Dove: abstract (text as indexed in the OpenAlex record search result for the published version)
Spin in semiconduttore2-qubit foundry devices (4 devices), 28SiUNSW Sydney / DiraqFedeltà della porta a due qubit≥ 99%Dispositivo singoloCon revisione paritaria Steinacker et al., Nature (2025), DOI 10.1038/s41586-025-09531-9Dove: abstract (text as indexed in the OpenAlex record search result for the published version)
Spin in semiconduttore2-qubit foundry devices (4 devices), 28SiUNSW Sydney / DiraqFedeltà di preparazione e misura dello stato99,9%MiglioreCon revisione paritaria Steinacker et al., Nature (2025), DOI 10.1038/s41586-025-09531-9Dove: abstract (text as indexed in the OpenAlex record search result for the published version)
Spin in semiconduttore2-qubit foundry devices (4 devices), 28SiUNSW Sydney / DiraqT1 (rilassamento di energia)9,5 sMiglioreCon revisione paritaria Steinacker et al., Nature (2025), DOI 10.1038/s41586-025-09531-9Dove: abstract (text as indexed in the OpenAlex record search result for the published version)
Spin in semiconduttore2-qubit foundry devices (4 devices), 28SiUNSW Sydney / DiraqT2 echo1,9 msMiglioreCon revisione paritaria Steinacker et al., Nature (2025), DOI 10.1038/s41586-025-09531-9Dove: abstract (text as indexed in the OpenAlex record search result for the published version)
Spin in semiconduttore2-qubit foundry devices (4 devices), 28SiUNSW Sydney / DiraqT2* (decadimento libero)40,6 µsMiglioreCon revisione paritaria Steinacker et al., Nature (2025), DOI 10.1038/s41586-025-09531-9Dove: abstract (text as indexed in the OpenAlex record search result for the published version)
Ione intrappolato43Ca+-88Sr+ mixed-species gateUniversity of OxfordFedeltà della porta a due qubit99,8%Dispositivo singoloPreprint Schäfer et al., arXiv:2509.17893Dove: abstract (arXiv abstract page)
Ione intrappolato43Ca+-88Sr+ mixed-species gateUniversity of OxfordFedeltà della porta a due qubit99,6%Dispositivo singoloPreprint Schäfer et al., arXiv:2509.17893Dove: text: p.1 of the arXiv PDF
Superconduttoretwo-transmon tunable-coupler deviceIQMFedeltà della porta a due qubit99,93%MediaPreprint Marxer et al., arXiv:2508.16437Dove: abstract (arXiv abstract page)
Ione intrappolato5-ion 40Ca+ chain, axial modesUniversity of Science and Technology of ChinaFedeltà della porta a due qubit≥ 99%MigliorePreprint Zhao et al., arXiv:2507.00504Dove: text: p.1 of the arXiv PDF
Spin in semiconduttore2D Si arrayQuTech, Delft University of TechnologyFedeltà della porta a un qubit≥ 99,5% ±0,06Dispositivo singoloCon revisione paritaria Baseband control of single-electron silicon spin qubits in two dimensions, Nat. Com…Dove: abstract (text as indexed in the OpenAlex record W4411889147)
Atomo neutroHarvard 3,000-qubit continuously reloaded arrayHarvard UniversityT2 echo1,15 s ±0,03Dispositivo singoloPreprint Chiu et al., Continuous operation of a coherent 3,000-qubit system, arXiv:2506.20660Dove: Sec. on storage qubit coherence (p5)
Atomo neutroHarvard/MIT/QuEra 448-atom architectureHarvard University, MIT, QuEra ComputingFedeltà della porta a un qubit99,9%Dispositivo singoloPreprint Bluvstein et al., Architectural mechanisms of a universal fault-tolerant quantum co…Dove: Methods (p19)
Atomo neutroHarvard/MIT/QuEra 448-atom architectureHarvard University, MIT, QuEra ComputingFedeltà della porta a due qubit99,5%MigliorePreprint Bluvstein et al., Architectural mechanisms of a universal fault-tolerant quantum co…Dove: Extended Data Fig. 6g (p15)
Atomo neutroMPQ 88Sr tweezer arrayMPQ Garching, LMU MunichFedeltà della porta a un qubit99,3% ±0,1Dispositivo singoloPreprint Tao et al., Universal gates for a metastable qubit in strontium-88, arXiv:2506.10714Dove: Abstract
Atomo neutroMPQ 88Sr tweezer arrayMPQ Garching, LMU MunichFedeltà della porta a due qubit99,45% ±0,06Dispositivo singoloPreprint Tao et al., Universal gates for a metastable qubit in strontium-88, arXiv:2506.10714Dove: Abstract
Ione intrappolatoQuantinuum System Model H2QuantinuumFedeltà della porta a due qubitNon confrontabile99,94% ±0,01Dispositivo singoloPreprint Haghshenas et al., Digital quantum magnetism on a trapped-ion quantum computer, arX…Dove: Abstract
Spin di difettoNV electron-nuclear registerQuTech, Delft University of Technology / Element SixFedeltà della porta a un qubit99,999% ±0,001MiglioreCon revisione paritaria Universal high-fidelity quantum gates for spin qubits in diamond, Phys. Rev. Applie…Dove: abstract (text as indexed in the OpenAlex record W4408695390)
Spin di difettoNV electron-nuclear registerQuTech, Delft University of Technology / Element SixFedeltà della porta a due qubit99,93% ±0,05Dispositivo singoloCon revisione paritaria Universal high-fidelity quantum gates for spin qubits in diamond, Phys. Rev. Applie…Dove: abstract (text as indexed in the OpenAlex record W4408695390)
SuperconduttoreTa-on-silicon transmon, best qubitPrinceton UniversityT1 (rilassamento di energia)1,68 ms ±0,1MigliorePreprint Bland et al., arXiv:2503.14798Dove: abstract; text p.1 ("T1 up to 1.68 +/- 0.1 ms")
SuperconduttoreTa-on-silicon transmonsPrinceton UniversityT1 (rilassamento di energia)0,45 ms ±0,18MediaPreprint Bland et al., arXiv:2503.14798Dove: text: p.1, mean of time-averaged T1 over 45 qubits
SuperconduttoreTa-on-silicon transmon, best qubitPrinceton UniversityT1 (rilassamento di energia)1 msDispositivo singoloPreprint Bland et al., arXiv:2503.14798Dove: text: p.1, time-averaged T1 of the best qubit over 88 h
Spin in semiconduttoremobile (shuttled) spin qubits in siliconQuTech; Delft University of TechnologyFedeltà della porta a due qubit99%Dispositivo singoloPreprint Matsumoto et al., arXiv:2503.15434Dove: abstract (arXiv abstract page)
FotonicoPsiQuantum manufacturable silicon-photonic modulesPsiQuantumFedeltà di preparazione e misura dello statoNon confrontabile99,98% ±0,01Dispositivo singoloCon revisione paritaria A manufacturable platform for photonic quantum computing, Nature (2025)Dove: abstract (text as indexed in the OpenAlex record W4407956947)
Superconduttoretwo fluxoniums with non-local couplerTsinghua University; Beijing Academy of Quantum Information SciencesFedeltà della porta a due qubit99,37%Dispositivo singoloPreprint Xiong et al., arXiv:2502.18902Dove: abstract (arXiv abstract page)
Superconduttoretransmon-coupler-transmonBeijing Academy of Quantum Information SciencesFedeltà della porta a due qubit99,37% ±0,07MediaPreprint Chen et al., arXiv:2502.03612Dove: abstract (arXiv abstract page)
SuperconduttoreZuchongzhi 3.0 (105 qubits)University of Science and Technology of ChinaFedeltà della porta a un qubitErrore di Paulierrore 0,1%MediaPreprint Gao et al., arXiv:2412.11924Dove: text: p.2 (Fig. 2a)
SuperconduttoreZuchongzhi 3.0 (105 qubits)University of Science and Technology of ChinaFedeltà della porta a due qubitErrore di Paulierrore 0,38%MediaPreprint Gao et al., arXiv:2412.11924Dove: text: p.2 (Fig. 2b)
SuperconduttoreZuchongzhi 3.0 (105 qubits)University of Science and Technology of ChinaFedeltà di letturaerrore 0,82%MediaPreprint Gao et al., arXiv:2412.11924Dove: text: p.2 (Fig. 2c)
SuperconduttoreZuchongzhi 3.0 (105 qubits)University of Science and Technology of ChinaT1 (rilassamento di energia)71,6 µs ±13,8MediaPreprint Gao et al., arXiv:2412.11924Dove: Table S1 (p.11), 83-qubit subset
SuperconduttoreZuchongzhi 3.0 (105 qubits)University of Science and Technology of ChinaT1 (rilassamento di energia)73,4 µsMedianaPreprint Gao et al., arXiv:2412.11924Dove: Table S1 (p.11), 83-qubit subset
SuperconduttoreZuchongzhi 3.0 (105 qubits)University of Science and Technology of ChinaT2 con disaccoppiamento dinamico57,8 µs ±15,3MediaPreprint Gao et al., arXiv:2412.11924Dove: Table S1 (p.11), 83-qubit subset
SuperconduttoreZuchongzhi 3.0 (105 qubits)University of Science and Technology of ChinaT2 con disaccoppiamento dinamico56,5 µsMedianaPreprint Gao et al., arXiv:2412.11924Dove: Table S1 (p.11), 83-qubit subset
Ione intrappolatoOxford Ionics surface-electrode trap (single ion)Oxford IonicsFedeltà della porta a un qubit99,999985% ±0,00004MigliorePreprint Smith et al., Single-qubit gates with errors at the 10^{-7} level, arXiv:2412.04421Dove: Abstract
Atomo neutroAtom Computing Yb arrayAtom ComputingFedeltà della porta a un qubit99,963% ±0,002Dispositivo singoloPreprint Muniz et al., High-fidelity universal gates in the ^{171}Yb ground state nuclear sp…Dove: p1
Atomo neutroAtom Computing Yb arrayAtom ComputingFedeltà della porta a due qubitPost-selezionato99,72% ±0,03MigliorePreprint Muniz et al., High-fidelity universal gates in the ^{171}Yb ground state nuclear sp…Dove: Abstract
Atomo neutroAtom Computing Yb arrayAtom ComputingFedeltà della porta a due qubitPost-selezionato99,84% ±0,06MigliorePreprint Muniz et al., High-fidelity universal gates in the ^{171}Yb ground state nuclear sp…Dove: p1
Atomo neutroAtom Computing Yb arrayAtom ComputingFedeltà della porta a due qubit99,4% ±0,03Dispositivo singoloPreprint Muniz et al., High-fidelity universal gates in the ^{171}Yb ground state nuclear sp…Dove: Abstract
Spin in semiconduttore2-qubit foundry device, 28SiUNSW Sydney / DiraqFedeltà della porta a un qubit≥ 99%Dispositivo singoloPreprint Steinacker et al., arXiv:2410.15590Dove: abstract (arXiv abstract page)
Spin in semiconduttore2-qubit foundry device, 28SiUNSW Sydney / DiraqFedeltà della porta a due qubit≥ 99%Dispositivo singoloPreprint Steinacker et al., arXiv:2410.15590Dove: abstract (arXiv abstract page)
Spin in semiconduttore2-qubit foundry device, 28SiUNSW Sydney / DiraqFedeltà di preparazione e misura dello stato≥ 99,9%Dispositivo singoloPreprint Steinacker et al., arXiv:2410.15590Dove: abstract (arXiv abstract page)
Spin in semiconduttore2-qubit foundry device, 28SiUNSW Sydney / DiraqT1 (rilassamento di energia)6,3 sMigliorePreprint Steinacker et al., arXiv:2410.15590Dove: abstract (arXiv abstract page)
Spin in semiconduttore2-qubit foundry device, 28SiUNSW Sydney / DiraqT2 echo803 µsMigliorePreprint Steinacker et al., arXiv:2410.15590Dove: abstract (arXiv abstract page)
Spin in semiconduttore2-qubit foundry device, 28SiUNSW Sydney / DiraqT2* (decadimento libero)30,4 µsMigliorePreprint Steinacker et al., arXiv:2410.15590Dove: abstract (arXiv abstract page)
Superconduttoretwo transmons with tunable couplerChinese Academy of Sciences; Institute of PhysicsFedeltà della porta a due qubit99,61% ±0,04Dispositivo singoloPreprint Li et al., arXiv:2410.15041Dove: abstract (arXiv abstract page)
Superconduttoretwo transmons with tunable couplerChinese Academy of Sciences; Institute of PhysicsFedeltà della porta a due qubit99,82% ±0,02Dispositivo singoloPreprint Li et al., arXiv:2410.15041Dove: abstract (arXiv abstract page)
Spin in semiconduttoretwo-qubit device in natural Si/SiGeUniversity of Science and Technology of ChinaFedeltà della porta a due qubit91%Dispositivo singoloPreprint Wang et al., arXiv:2409.09747Dove: abstract (arXiv abstract page)
Ione intrappolatoOxford single 137Ba+ ion (ground-level qubit)University of Oxford, Oxford IonicsFedeltà di preparazione e misura dello stato99,9992% ±0,0004MigliorePreprint Sotirova et al., High-fidelity heralded quantum state preparation and measurement,…Dove: Abstract
Ione intrappolatoOxford single 137Ba+ ion (metastable-level qubit)University of Oxford, Oxford IonicsFedeltà di preparazione e misura dello stato99,9995% ±0,0004MigliorePreprint Sotirova et al., High-fidelity heralded quantum state preparation and measurement,…Dove: Abstract
Ione intrappolatoOxford single 137Ba+ ion (optical qubit)University of Oxford, Oxford IonicsFedeltà di preparazione e misura dello stato99,9993% ±0,0004MigliorePreprint Sotirova et al., High-fidelity heralded quantum state preparation and measurement,…Dove: Abstract
Spin di difettoSnV- with superconducting waveguideKarlsruhe Institute of Technology / Saarland UniversityT2 con disaccoppiamento dinamico10 msMiglioreCon revisione paritaria Microwave control of the tin-vacancy spin qubit with a superconducting waveguide, P…Dove: abstract (text as indexed in the OpenAlex record W4401904839)
Spin di difettoSnV- with superconducting waveguideKarlsruhe Institute of Technology / Saarland UniversityT2 echo430 µsMiglioreCon revisione paritaria Microwave control of the tin-vacancy spin qubit with a superconducting waveguide, P…Dove: abstract (text as indexed in the OpenAlex record W4401904839)
SuperconduttoreWillow-generation 105-qubit processorGoogle Quantum AIT1 (rilassamento di energia)68 µsMediaPreprint Google Quantum AI, arXiv:2408.13687Dove: text: p.2 (Section II)
SuperconduttoreWillow-generation 105-qubit processorGoogle Quantum AIT2 con disaccoppiamento dinamico89 µsMediaPreprint Google Quantum AI, arXiv:2408.13687Dove: text: p.2 (Section II)
Atomo neutroAtom Computing Cs arrayAtom ComputingFedeltà della porta a un qubit99,902% ±0,008Dispositivo singoloPreprint Radnaev et al., A universal neutral-atom quantum computer with individual optical a…Dove: Abstract
Atomo neutroAtom Computing Cs arrayAtom ComputingFedeltà della porta a due qubit99,35% ±0,04Dispositivo singoloPreprint Radnaev et al., A universal neutral-atom quantum computer with individual optical a…Dove: Abstract
Atomo neutroAtom Computing Cs arrayAtom ComputingFedeltà della porta a due qubitPost-selezionato99,73% ±0,03Dispositivo singoloPreprint Radnaev et al., A universal neutral-atom quantum computer with individual optical a…Dove: Abstract
Atomo neutroCaltech 88Sr Rydberg tweezer arrayCaltechFedeltà della porta a due qubit99,71% ±0,05MediaPreprint Tsai et al., Benchmarking and fidelity response theory of high-fidelity Rydberg ent…Dove: Abstract
Superconduttoretwo remote transmonsBeijing Academy of Quantum Information SciencesFedeltà della porta a due qubit99,15% ±0,02Dispositivo singoloPreprint Song et al., arXiv:2407.20338Dove: abstract (arXiv abstract page)
SuperconduttoreAalto high-coherence transmonAalto UniversityFrequenza del qubit2,9 GHzDispositivo singoloPreprint Tuokkola et al., arXiv:2407.18778Dove: abstract
SuperconduttoreAalto high-coherence transmonAalto UniversityT1 (rilassamento di energia)666 µs ±33MigliorePreprint Tuokkola et al., arXiv:2407.18778Dove: abstract (maximum)
SuperconduttoreAalto high-coherence transmonAalto UniversityT1 (rilassamento di energia)425 µsMedianaPreprint Tuokkola et al., arXiv:2407.18778Dove: abstract
SuperconduttoreAalto high-coherence transmonAalto UniversityT2 echo1057 µs ±138MigliorePreprint Tuokkola et al., arXiv:2407.18778Dove: abstract (maximum)
SuperconduttoreAalto high-coherence transmonAalto UniversityT2 echo541 µsMedianaPreprint Tuokkola et al., arXiv:2407.18778Dove: abstract
Superconduttoreinductively coupled fluxonium pairUniversity of Maryland, College Park; University of Wisconsin–MadisonFedeltà della porta a due qubit99,94%MigliorePreprint Lin et al., arXiv:2407.15783Dove: abstract (arXiv abstract page)
Ione intrappolatoOxford Ionics seven-zone chipOxford IonicsFedeltà dello stato di Bell99,97% ±0,01Dispositivo singoloPreprint Löschnauer et al., Scalable, high-fidelity all-electronic control of trapped-ion qu…Dove: Abstract
Ione intrappolatoOxford Ionics seven-zone chipOxford IonicsFedeltà della porta a un qubit99,99916% ±0,00007Dispositivo singoloPreprint Löschnauer et al., Scalable, high-fidelity all-electronic control of trapped-ion qu…Dove: Abstract
Superconduttoretransmon processor with couplerIBM Research - Thomas J. Watson Research CenterFedeltà della porta a due qubit99,4%MigliorePreprint Kumph et al., arXiv:2406.11770Dove: abstract (arXiv abstract page)
Superconduttorefluxonium with circularly driven gatesMassachusetts Institute of TechnologyFedeltà della porta a un qubit99,99664% ±0,00008Dispositivo singoloPreprint Rower et al., arXiv:2406.08295Dove: Fig. 10 caption (p.14): F = 99.99664(8)%, circular drive, 700 us wait, gate time ~7.0 ns
Atomo neutroPrinceton 171Yb tweezer arrayPrinceton UniversityFedeltà della porta a due qubit99,4% ±0,1Dispositivo singoloPreprint Peper et al., Spectroscopy and modeling of ^{171}Yb Rydberg states for high-fidelit…Dove: Abstract
Spin in semiconduttoretwo hole-spin qubits in GeIBM Research Zurich / University of Basel / RIKENDurata della porta a due qubit24 nsDispositivo singoloCon revisione paritaria Anisotropic exchange interaction of two hole-spin qubits, Nat. Phys. (2024)Dove: abstract (text as indexed in the OpenAlex record W4396673154)
Spin di difettosingle nuclear spin in SiCUniversity of Science and Technology of China / SIMITFedeltà di lettura94,95%Dispositivo singoloCon revisione paritaria Single-shot readout of a nuclear spin in silicon carbide, Phys. Rev. Lett. 132, 180…Dove: abstract (text as indexed in the OpenAlex record W4396577999)
Spin di difettosingle nuclear spin in SiCUniversity of Science and Technology of China / SIMITFedeltà di lettura99,03%Dispositivo singoloCon revisione paritaria Single-shot readout of a nuclear spin in silicon carbide, Phys. Rev. Lett. 132, 180…Dove: abstract (text as indexed in the OpenAlex record W4396577999)
SuperconduttoreKerr-cat SNAILmonUniversity of California, BerkeleyT1 (rilassamento di energia)38,5 µsDispositivo singoloPreprint Hajr et al., arXiv:2404.16697Dove: text p.3 and p.6, single-photon (Fock qubit) decay time
Spin in semiconduttore4-qubit donor processor (3 P atoms + electron), 28SiSilicon Quantum Computing / UNSW SydneyFedeltà della porta a un qubit≥ 99,9%Dispositivo singoloPreprint Thorvaldson et al., arXiv:2404.08741 (Nat. Nanotechnol. 20, 472)Dove: abstract (arXiv abstract page)
Spin in semiconduttore4-qubit donor processor (3 P atoms + electron), 28SiSilicon Quantum Computing / UNSW SydneyFedeltà della porta a due qubit≥ 99%Dispositivo singoloPreprint Thorvaldson et al., arXiv:2404.08741 (Nat. Nanotechnol. 20, 472)Dove: abstract (arXiv abstract page)
Spin in semiconduttore4-qubit donor processor (3 P atoms + electron), 28SiSilicon Quantum Computing / UNSW SydneyFedeltà di lettura≥ 99%Dispositivo singoloPreprint Thorvaldson et al., arXiv:2404.08741 (Nat. Nanotechnol. 20, 472)Dove: abstract (arXiv abstract page)
FotonicoQuandela single-photon platformQuandela / CNRSFedeltà della porta a un qubitNon confrontabile99,6% ±0,1Dispositivo singoloCon revisione paritaria A versatile single-photon-based quantum computing platform, Nat. Photonics (2024)Dove: abstract (text as indexed in the OpenAlex record W4393200016)
FotonicoQuandela single-photon platformQuandela / CNRSFedeltà della porta a due qubitNon confrontabile93,8% ±0,6Dispositivo singoloCon revisione paritaria A versatile single-photon-based quantum computing platform, Nat. Photonics (2024)Dove: abstract (text as indexed in the OpenAlex record W4393200016)
Atomo neutroCaltech 6,100-atom arrayCaltechFedeltà di lettura≥ 99,99%Dispositivo singoloPreprint Manetsch et al., A tweezer array with 6100 highly coherent atomic qubits, arXiv:240…Dove: Abstract
Atomo neutroCaltech 6,100-atom arrayCaltechT2 echo12,6 s ±0,1Dispositivo singoloPreprint Manetsch et al., A tweezer array with 6100 highly coherent atomic qubits, arXiv:240…Dove: Fig. 3 (p5) and Abstract
Atomo neutroCaltech 6,100-atom arrayCaltechT2 Ramsey14 ms ±0,1Dispositivo singoloPreprint Manetsch et al., A tweezer array with 6100 highly coherent atomic qubits, arXiv:240…Dove: Fig. 3 (p5)
Superconduttoretwo qubits with parametric coupling circuitBavarian Academy of Sciences and Humanities; Walther Meissner InstituteFedeltà della porta a due qubit98,3% ±0,23Dispositivo singoloPreprint Huber et al., arXiv:2403.02203Dove: abstract (arXiv abstract page)
Superconduttoretwo transmons with a double-transmon couplerRIKEN Center for Quantum Computing; Toshiba CorporationFedeltà della porta a due qubit99,9% ±0,01Dispositivo singoloPreprint Li et al. (RIKEN, Toshiba), arXiv:2402.18926Dove: text: abstract and p.2
Spin in semiconduttoreSi/SiGe hopping-spin processorQuTech, Delft University of TechnologyFedeltà della porta a un qubit99,97%Dispositivo singoloPreprint van Riggelen-Doelman et al., arXiv:2402.18382 (Science 385, 447)Dove: abstract (arXiv abstract page)
Spin in semiconduttoreSi/SiGe hopping-spin processorQuTech, Delft University of TechnologyFedeltà della porta a due qubit99,3%Dispositivo singoloPreprint van Riggelen-Doelman et al., arXiv:2402.18382 (Science 385, 447)Dove: abstract (arXiv abstract page)
Atomo neutroCaltech 88Sr tweezer clockCaltechFedeltà dello stato di Bell98,3% ±0,2Dispositivo singoloPreprint Cao et al., Multi-qubit gates and Schr\"odinger cat states in an optical clock, arX…Dove: Sec. 2 (p2)
Atomo neutroCaltech 88Sr tweezer clockCaltechFedeltà della porta a due qubit99,62% ±0,03MediaPreprint Finkelstein et al., Universal quantum operations and ancilla-based readout for twee…Dove: Abstract
Ione intrappolatocryogenic surface trap, microwave Molmer-Sorensen gateUniversity of OxfordFedeltà della porta a due qubiterrore 0,5% ±0,1Dispositivo singoloPreprint Weber et al., arXiv:2402.12955Dove: abstract (arXiv abstract page)
Ione intrappolatocryogenic surface trap, microwave Molmer-Sorensen gateUniversity of OxfordFedeltà della porta a due qubiterrore 1% ±0,2Dispositivo singoloPreprint Weber et al., arXiv:2402.12955Dove: abstract (arXiv abstract page)
Atomo neutroHarvard/MIT/QuEra reconfigurable arrayHarvard University, MIT, QuEra ComputingFedeltà della porta a due qubit99,5%MigliorePreprint Bluvstein et al., Logical quantum processor based on reconfigurable atom arrays, ar…Dove: Methods (p12)
Atomo neutroHarvard/MIT/QuEra reconfigurable arrayHarvard University, MIT, QuEra ComputingFedeltà di lettura99,8%Dispositivo singoloPreprint Bluvstein et al., Logical quantum processor based on reconfigurable atom arrays, ar…Dove: p2 and Methods
Spin di difettoSnV- in thin diamond membraneUniversity of Cambridge / University of ChicagoFedeltà della porta a un qubit99,36% ±0,09Dispositivo singoloCon revisione paritaria Microwave-based quantum control and coherence protection of tin-vacancy spin qubits…Dove: abstract (text as indexed in the OpenAlex record W4389133713)
Superconduttoretwo fluxoniums with tunable inductive couplerNorthwestern University; University of ChicagoFedeltà della porta a due qubit99,72%Dispositivo singoloPreprint Zhang et al., arXiv:2309.05720Dove: text: p.1 of the arXiv PDF
Superconduttoreinductively coupled fluxonium pairAlibaba GroupFedeltà della porta a due qubit99,53%MediaPreprint Ma et al., arXiv:2308.16040Dove: abstract (arXiv abstract page)
Superconduttorecoaxial on-chip quantum memoriesYale UniversityT1 (rilassamento di energia)1,4 msMigliorePreprint Ganjam et al., arXiv:2308.15539Dove: abstract (single-photon T1 range 1.0-1.4 ms across memories)
Superconduttorecoaxial on-chip quantum memoriesYale UniversityT2 Ramsey2,7 msMigliorePreprint Ganjam et al., arXiv:2308.15539Dove: abstract (single-photon Ramsey range 2.0-2.7 ms across memories)
Spin di difettosingle NV with SMART drivingUNSW Sydney / University of StuttgartFedeltà della porta a un qubit99,3% ±0,2Dispositivo singoloCon revisione paritaria High-fidelity control of a nitrogen-vacancy-center spin qubit at room temperature u…Dove: abstract (text as indexed in the OpenAlex record W4385708885)
Spin di difettosingle NV with SMART drivingUNSW Sydney / University of StuttgartFedeltà della porta a un qubit94% ±0,5Dispositivo singoloCon revisione paritaria High-fidelity control of a nitrogen-vacancy-center spin qubit at room temperature u…Dove: abstract (text as indexed in the OpenAlex record W4385708885)
Ione intrappolatoIonQ Forte (30 qubits)IonQFedeltà della porta a un qubit99,98%MedianaPreprint Chen et al., Benchmarking a trapped-ion quantum computer with 30 qubits, arXiv:2308…Dove: Fig. 3b and Sec. 4 (model parameters)
Ione intrappolatoIonQ Forte (30 qubits)IonQFedeltà della porta a due qubit99,722%MigliorePreprint Chen et al., Benchmarking a trapped-ion quantum computer with 30 qubits, arXiv:2308…Dove: Fig. 4b and Sec. 3.1
Ione intrappolatoIonQ Forte (30 qubits)IonQFedeltà della porta a due qubit99,536%MedianaPreprint Chen et al., Benchmarking a trapped-ion quantum computer with 30 qubits, arXiv:2308…Dove: Fig. 4b and Sec. 3.1
Ione intrappolatoIonQ Forte (30 qubits)IonQFedeltà di preparazione e misura dello stato99,5%MediaPreprint Chen et al., Benchmarking a trapped-ion quantum computer with 30 qubits, arXiv:2308…Dove: Sec. 2 (system description)
SuperconduttoreIBM Eagle ibm_kyiv (127 qubits)IBM QuantumT1 (rilassamento di energia)288 µsMedianaCon revisione paritaria Kim et al., Nature 618, 500Dove: text: main text, experimental implementation paragraph
Ione intrappolatoOxford cryogenic (100 K) surface trapUniversity of OxfordFedeltà della porta a un qubit99,9966%MediaPreprint Leu et al., Fast, high-fidelity addressed single-qubit gates using efficient compos…Dove: Abstract
Ione intrappolatoOxford cryogenic (100 K) surface trapUniversity of OxfordFedeltà della porta a un qubit99,99985%MigliorePreprint Leu et al., Fast, high-fidelity addressed single-qubit gates using efficient compos…Dove: Abstract
Ione intrappolatoOxford cryogenic (100 K) surface trapUniversity of OxfordDurata della porta a un qubit600 nsDispositivo singoloPreprint Leu et al., Fast, high-fidelity addressed single-qubit gates using efficient compos…Dove: Abstract
Atomo neutroPrinceton tweezer arrayPrinceton UniversityFedeltà della porta a un qubit99,9% ±0,01Dispositivo singoloPreprint Ma et al., High-fidelity gates with mid-circuit erasure conversion in a metastable…Dove: Abstract
Atomo neutroPrinceton tweezer arrayPrinceton UniversityFedeltà della porta a due qubit98% ±0,1Dispositivo singoloPreprint Ma et al., High-fidelity gates with mid-circuit erasure conversion in a metastable…Dove: Abstract
Ione intrappolatoQuantinuum System Model H2 (32-qubit race-track)QuantinuumFedeltà della porta a un qubit99,9975% ±0,0003MediaPreprint Moses et al., A Race Track Trapped-Ion Quantum Processor, arXiv:2305.03828Dove: Abstract
Ione intrappolatoQuantinuum System Model H2 (32-qubit race-track)QuantinuumFedeltà della porta a due qubit99,816% ±0,005MediaPreprint Moses et al., A Race Track Trapped-Ion Quantum Processor, arXiv:2305.03828Dove: Abstract
Ione intrappolatoQuantinuum System Model H2 (32-qubit race-track)QuantinuumFedeltà di preparazione e misura dello stato99,84% ±0,01MediaPreprint Moses et al., A Race Track Trapped-Ion Quantum Processor, arXiv:2305.03828Dove: Abstract
Atomo neutroCaltech 88Sr Rydberg tweezer arrayCaltechFedeltà dello stato di Bell≥ 99,71%MigliorePreprint Scholl et al., Erasure conversion in a high-fidelity Rydberg quantum simulator, arX…Dove: Abstract
Atomo neutroCaltech 88Sr Rydberg tweezer arrayCaltechFedeltà dello stato di Bell≥ 99,85%MigliorePreprint Scholl et al., Erasure conversion in a high-fidelity Rydberg quantum simulator, arX…Dove: Abstract
Superconduttoretwo transmons with parametric couplerNational Institute of Standards and TechnologyFedeltà della porta a due qubit99,47% ±0,07MediaPreprint Jin et al., arXiv:2305.02907Dove: abstract (arXiv abstract page)
Superconduttoretwo transmons with parametric couplerNational Institute of Standards and TechnologyFedeltà della porta a due qubit99,44% ±0,09MediaPreprint Jin et al., arXiv:2305.02907Dove: abstract (arXiv abstract page)
Superconduttoretwo fluxoniums with transmon coupler (FTF)Massachusetts Institute of TechnologyFedeltà della porta a due qubit99,922% ±0,009MigliorePreprint Ding et al., arXiv:2304.06087Dove: text p.2 ("average CZ gate fidelity of up to 99.922 +/- 0.009% in 50 ns") and p.7 (Fig. 5c, time-averaged value)
Superconduttoretwo fluxoniums with transmon coupler (FTF)Massachusetts Institute of TechnologyDurata della porta a due qubit50 nsDispositivo singoloPreprint Ding et al., arXiv:2304.06087Dove: text p.2
Atomo neutroHarvard/MIT/QuEra tweezer arrayHarvard University, MIT, QuEra ComputingFedeltà della porta a un qubit≥ 99,97%Dispositivo singoloPreprint Evered et al., High-fidelity parallel entangling gates on a neutral atom quantum co…Dove: Intro (p1)
Atomo neutroHarvard/MIT/QuEra tweezer arrayHarvard University, MIT, QuEra ComputingFedeltà della porta a due qubit99,5%MigliorePreprint Evered et al., High-fidelity parallel entangling gates on a neutral atom quantum co…Dove: Abstract (p1)
Spin in semiconduttore2-qubit SiMOS devicesUNSW SydneyFedeltà della porta a due qubitEstremo superiore99,8%MigliorePreprint Tanttu et al., arXiv:2303.04090 (Nat. Phys. 20, 1804)Dove: abstract (arXiv abstract page)
Superconduttoresuperconducting cavity memoryWeizmann Institute of ScienceT1 (rilassamento di energia)25,6 msDispositivo singoloPreprint Milul et al., arXiv:2302.06442Dove: parameter table (p.6), cavity lifetime
Superconduttoresuperconducting cavity memoryWeizmann Institute of ScienceT2 Ramsey34 ms ±1Dispositivo singoloPreprint Milul et al., arXiv:2302.06442Dove: text p.3 (Fig. 2, sinusoidal-exponential fit), cavity coherence time
Spin di difettohBN spin defect, room temperatureCardiff University / University of ExeterT2 echo0,1 µsDispositivo singoloCon revisione paritaria Coherence protection of spin qubits in hexagonal boron nitride, Nat. Commun. 14 (20…Dove: abstract (text as indexed in the OpenAlex record W4318336334)
Spin in semiconduttoreSi CMOS hole qubitCEA Grenoble / Institut NeelT2 echo88 µsMiglioreCon revisione paritaria Piot et al., Nat. Nanotechnol. 17, 1072 (2022)Dove: abstract (text as indexed in the OpenAlex record W4296690338)
SuperconduttoreIQM long-distance transmon coupler deviceIQM Quantum ComputersFedeltà della porta a due qubit99,81% ±0,02Dispositivo singoloPreprint Marxer et al., arXiv:2208.09460Dove: abstract; text p.2
SuperconduttoreIQM long-distance transmon coupler deviceIQM Quantum ComputersDurata della porta a due qubit33 nsDispositivo singoloPreprint Marxer et al., arXiv:2208.09460Dove: text p.2
Ione intrappolatoHoneywell Quantinuum H1-1Honeywell Quantum Solutions (now Quantinuum)Fedeltà della porta a due qubiterrore 0,0026 ±0,0004Dispositivo singoloPreprint Ryan-Anderson et al., arXiv:2208.01863Dove: Table I (p3 of the arXiv PDF)
Ione intrappolatoHoneywell Quantinuum H1-2Honeywell Quantum Solutions (now Quantinuum)Fedeltà della porta a due qubiterrore 0,0021 ±0,0003Dispositivo singoloPreprint Ryan-Anderson et al., arXiv:2208.01863Dove: Table I (p3 of the arXiv PDF)
Ione intrappolatoQuantinuum 20-qubit QCCD (H1 generation)QuantinuumFedeltà di preparazione e misura dello stato99,68% ±0,02MediaPreprint Ryan-Anderson et al., Implementing Fault-tolerant Entangling Gates on the Five-qubi…Dove: Abstract
Ione intrappolatoQuantinuum 20-qubit QCCD (H1 generation)QuantinuumFedeltà di preparazione e misura dello stato99,7% ±0,01MediaPreprint Ryan-Anderson et al., Implementing Fault-tolerant Entangling Gates on the Five-qubi…Dove: Abstract
SuperconduttoreSycamore 72-qubit deviceGoogle Quantum AIT1 (rilassamento di energia)20 µsMediaPreprint Google Quantum AI, arXiv:2207.06431Dove: text: p.2
SuperconduttoreSycamore 72-qubit deviceGoogle Quantum AIT2 con disaccoppiamento dinamico30 µsMediaPreprint Google Quantum AI, arXiv:2207.06431Dove: text: p.2
Spin di difettosingle SnV- centreElement Six / Ruhr University BochumT2* (decadimento libero)5 µs ±1Dispositivo singoloCon revisione paritaria Coherence of a charge stabilised tin-vacancy spin in diamond, npj Quantum Inf. 8, 4…Dove: abstract (text as indexed in the OpenAlex record W3207260240)
Superconduttoretwo-fluxonium cross-resonanceUniversity of Massachusetts Amherst; Joint Quantum InstituteFedeltà della porta a due qubit0,9949 ±0,0006MigliorePreprint Dogan et al., arXiv:2204.11829Dove: abstract (arXiv abstract page)
Superconduttoretwo fluxoniums with tunable couplerNational University of Science and Technology; Bauman Moscow State Technical UniversityFedeltà della porta a due qubit99,55%Dispositivo singoloPreprint Moskalenko et al., arXiv:2203.16302Dove: abstract (arXiv abstract page)
Superconduttoretwo fluxoniums with tunable couplerNational University of Science and Technology; Bauman Moscow State Technical UniversityFedeltà della porta a due qubit99,23%Dispositivo singoloPreprint Moskalenko et al., arXiv:2203.16302Dove: text: p.2 of the arXiv PDF
Superconduttoretwo transmons with tunable couplerUniversity of Science and Technology of China; Shanghai Research Center for Quantum SciencesFedeltà della porta a due qubit99,38% ±0,34Dispositivo singoloPreprint Li et al., arXiv:2202.06616Dove: abstract (arXiv abstract page)
Spin in semiconduttoreencoded exchange-only silicon quantum dot deviceHRL LaboratoriesFedeltà della porta a due qubit96,3% ±0,7Dispositivo singoloPreprint Weinstein et al., arXiv:2202.03605Dove: text: p.2 of the arXiv PDF
Spin in semiconduttoreencoded exchange-only silicon quantum dot deviceHRL LaboratoriesFedeltà della porta a due qubit99,3% ±0,5Dispositivo singoloPreprint Weinstein et al., arXiv:2202.03605Dove: abstract (arXiv abstract page)
Spin in semiconduttoreSi/SiGe shuttling-mode 2-qubit gateRIKEN Center for Emergent Matter ScienceFedeltà della porta a due qubit93%Dispositivo singoloPreprint Noiri et al., arXiv:2202.01357 (Nat. Commun. 13, 5740)Dove: abstract (arXiv abstract page)
Spin di difettosingle spin in isotopically purified SiCArgonne National Laboratory / University of ChicagoFedeltà di lettura≥ 80%Dispositivo singoloCon revisione paritaria Anderson et al., Sci. Adv. 8 (2022), five-second coherence of a single spin in SiCDove: abstract (text as indexed in the OpenAlex record W3203210826)
Spin di difettosingle spin in isotopically purified SiCArgonne National Laboratory / University of ChicagoT2 con disaccoppiamento dinamico≥ 5 sDispositivo singoloCon revisione paritaria Anderson et al., Sci. Adv. 8 (2022), five-second coherence of a single spin in SiCDove: abstract (text as indexed in the OpenAlex record W3203210826)
Atomo neutroColdQuanta/Wisconsin programmable arrayColdQuanta (Infleqtion), University of Wisconsin-MadisonFedeltà dello stato di Bell92,7% ±1,3MigliorePreprint Graham et al., Demonstration of multi-qubit entanglement and algorithms on a progra…Dove: p2
SuperconduttoreZuchongzhi 2.1 (17-qubit surface code)University of Science and Technology of ChinaFedeltà della porta a un qubiterrore 0,098%MediaPreprint Zhao et al., arXiv:2112.13505Dove: text: p.2 (System calibration), Fig. 2a
SuperconduttoreZuchongzhi 2.1 (17-qubit surface code)University of Science and Technology of ChinaFedeltà della porta a due qubiterrore 1,035%MediaPreprint Zhao et al., arXiv:2112.13505Dove: text: p.2 (System calibration), Fig. 2a
SuperconduttoreZuchongzhi 2.1 (17-qubit surface code)University of Science and Technology of ChinaDurata della porta a un qubit25 nsDispositivo singoloPreprint Zhao et al., arXiv:2112.13505Dove: text: p.2 (System calibration)
SuperconduttoreZuchongzhi 2.1 (17-qubit surface code)University of Science and Technology of ChinaDurata della porta a due qubit32 nsDispositivo singoloPreprint Zhao et al., arXiv:2112.13505Dove: text: p.2 (System calibration)
SuperconduttoreZuchongzhi 2.1 (17-qubit surface code)University of Science and Technology of ChinaFedeltà di letturaerrore 4,752%MediaPreprint Zhao et al., arXiv:2112.13505Dove: text: p.2 (System calibration), Fig. 2a
SuperconduttoreZuchongzhi 2.1 (17-qubit surface code)University of Science and Technology of ChinaDurata della lettura1,5 µsDispositivo singoloPreprint Zhao et al., arXiv:2112.13505Dove: text: p.2 (System calibration)
Atomo neutroJILA 171Yb tweezer arrayJILA, University of ColoradoFedeltà della porta a un qubit99,48% ±0,05MediaPreprint Jenkins et al., Ytterbium nuclear-spin qubits in an optical tweezer array, arXiv:21…Dove: Abstract
Atomo neutroJILA 171Yb tweezer arrayJILA, University of ColoradoT2 echo7,9 s ±0,4Dispositivo singoloPreprint Jenkins et al., Ytterbium nuclear-spin qubits in an optical tweezer array, arXiv:21…Dove: Abstract
Atomo neutroJILA 171Yb tweezer arrayJILA, University of ColoradoT2 Ramsey3,7 s ±0,4Dispositivo singoloPreprint Jenkins et al., Ytterbium nuclear-spin qubits in an optical tweezer array, arXiv:21…Dove: Abstract
Atomo neutroPrinceton 171Yb tweezer arrayPrinceton UniversityFedeltà della porta a un qubit99,959% ±0,006MediaPreprint Ma et al., Universal gate operations on nuclear spin qubits in an optical tweezer a…Dove: Abstract
Atomo neutroPrinceton 171Yb tweezer arrayPrinceton UniversityT1 (rilassamento di energia)20 s ±2Dispositivo singoloPreprint Ma et al., Universal gate operations on nuclear spin qubits in an optical tweezer a…Dove: Abstract and p1
Atomo neutroPrinceton 171Yb tweezer arrayPrinceton UniversityT2 echo5 s ±1Dispositivo singoloPreprint Ma et al., Universal gate operations on nuclear spin qubits in an optical tweezer a…Dove: p3
Atomo neutroPrinceton 171Yb tweezer arrayPrinceton UniversityT2 Ramsey1,24 s ±0,05Dispositivo singoloPreprint Ma et al., Universal gate operations on nuclear spin qubits in an optical tweezer a…Dove: Abstract
Ione intrappolatoNIST indirect-readout trapNIST BoulderFedeltà di lettura99,988%MigliorePreprint Erickson et al., High-fidelity indirect readout of trapped-ion hyperfine qubits, ar…Dove: Abstract
SuperconduttoreETH 17-qubit surface-code deviceETH ZurichFedeltà della porta a un qubiterrore 0,09% ±0,04MediaPreprint Krinner et al., arXiv:2112.03708Dove: Fig. 5 caption (p.9)
SuperconduttoreETH 17-qubit surface-code deviceETH ZurichFedeltà della porta a due qubiterrore 1,5% ±1MediaPreprint Krinner et al., arXiv:2112.03708Dove: Fig. 5 caption (p.9)
SuperconduttoreETH 17-qubit surface-code deviceETH ZurichDurata della porta a due qubit98 nsMediaPreprint Krinner et al., arXiv:2112.03708Dove: text: p.9 (Appendix D), total average two-qubit gate duration incl. buffers
SuperconduttoreETH 17-qubit surface-code deviceETH ZurichFedeltà di letturaerrore 0,009 ±0,007MediaPreprint Krinner et al., arXiv:2112.03708Dove: text: p.3
SuperconduttoreETH 17-qubit surface-code deviceETH ZurichT2 Ramsey37,5 µsMediaPreprint Krinner et al., arXiv:2112.03708Dove: text: p.6
Superconduttoreflip-chip integrated processorChalmers University of TechnologyFedeltà della porta a due qubit≥ 98,6%Dispositivo singoloPreprint Kosen et al., arXiv:2112.02717Dove: abstract (arXiv abstract page)
Ione intrappolatoInnsbruck ion-trap Molmer-Sorensen gate calibrated by Bayesian protocolUniversität InnsbruckFedeltà della porta a due qubiterrore 0,0013 ±0,0001MedianaPreprint Gerster et al., arXiv:2112.01411Dove: abstract (arXiv abstract page)
Spin di difettosingle SnV- centreQuTech, Delft University of Technology / MITT2 con disaccoppiamento dinamico0,3 ms ±0,08Dispositivo singoloCon revisione paritaria Debroux et al., Phys. Rev. X 11, 041041 (2021)Dove: abstract (text as indexed in the OpenAlex record W3216877328)
Spin di difettosingle SnV- centreQuTech, Delft University of Technology / MITT2* (decadimento libero)1,3 µs ±0,3Dispositivo singoloCon revisione paritaria Debroux et al., Phys. Rev. X 11, 041041 (2021)Dove: abstract (text as indexed in the OpenAlex record W3216877328)
Superconduttoretwo-fluxonium processorAlibaba Quantum LaboratoryFedeltà della porta a un qubit99,97%Dispositivo singoloPreprint Bao et al., arXiv:2111.13504Dove: abstract
Superconduttoretwo-fluxonium processorAlibaba Quantum LaboratoryFedeltà della porta a due qubit99,72%MigliorePreprint Bao et al., arXiv:2111.13504Dove: abstract ("up to 99.72%")
Spin in semiconduttore2-qubit Si/SiGe processorPrinceton UniversityFedeltà della porta a un qubit≥ 99%Dispositivo singoloPreprint Mills et al., arXiv:2111.11937 (Sci. Adv. 8, eabn5130)Dove: abstract (arXiv abstract page)
Spin in semiconduttore2-qubit Si/SiGe processorPrinceton UniversityFedeltà della porta a due qubit99,81% ±0,17Dispositivo singoloPreprint Mills et al., arXiv:2111.11937 (Sci. Adv. 8, eabn5130)Dove: text: p.4 and Fig. 4
Spin in semiconduttore2-qubit Si/SiGe processorPrinceton UniversityFedeltà di preparazione e misura dello stato≥ 97%Dispositivo singoloPreprint Mills et al., arXiv:2111.11937 (Sci. Adv. 8, eabn5130)Dove: abstract (arXiv abstract page)
Spin in semiconduttore2D spin-qubit arrayQuTech, Delft University of TechnologyFedeltà della porta a un qubit99,992% ±0,001MigliorePreprint Lawrie et al., arXiv:2109.07837 (Nat. Commun. 14, 3617)Dove: abstract (arXiv abstract page)
Superconduttoretwo-transmon device, CZUniversity of Science and Technology of China; Shanghai Research Center for Quantum SciencesFedeltà della porta a due qubit99,65% ±0,04MediaPreprint Ye et al., arXiv:2109.05680Dove: abstract (arXiv abstract page)
SuperconduttoreZuchongzhi 2.1 (66 qubits)University of Science and Technology of ChinaFedeltà di lettura97,74%MediaPreprint Zhu et al., arXiv:2109.03494Dove: abstract
Atomo neutroAtom Computing 87Sr registerAtom ComputingT1 (rilassamento di energia)≥ 5 sDispositivo singoloPreprint Barnes et al., Assembly and coherent control of a register of nuclear spin qubits,…Dove: Abstract
Atomo neutroAtom Computing 87Sr registerAtom ComputingT2 echo42 s ±6Dispositivo singoloPreprint Barnes et al., Assembly and coherent control of a register of nuclear spin qubits,…Dove: Abstract
Atomo neutroAtom Computing 87Sr registerAtom ComputingT2 Ramsey21 s ±7Dispositivo singoloPreprint Barnes et al., Assembly and coherent control of a register of nuclear spin qubits,…Dove: Abstract
Spin in semiconduttore2-qubit Si/SiGe deviceRIKEN Center for Emergent Matter ScienceFedeltà della porta a un qubit99,8%Dispositivo singoloPreprint Noiri et al., arXiv:2108.02626 (Nature 601, 338)Dove: abstract (arXiv abstract page)
Spin in semiconduttore2-qubit Si/SiGe deviceRIKEN Center for Emergent Matter ScienceFedeltà della porta a due qubit99,5%Dispositivo singoloPreprint Noiri et al., arXiv:2108.02626 (Nature 601, 338)Dove: abstract (arXiv abstract page)
Ione intrappolatoHoneywell QCCD system model H1Honeywell Quantum Solutions (now Quantinuum)Fedeltà della porta a due qubiterrore 0,003 ±0,0001Dispositivo singoloPreprint Ryan-Anderson et al., arXiv:2107.07505Dove: text: p11 of the arXiv PDF (physical-level error budget)
Ione intrappolatoQuantinuum 10-qubit QCCD (H1 generation)QuantinuumFedeltà di preparazione e misura dello stato99,76% ±0,08MediaPreprint Ryan-Anderson et al., Realization of real-time fault-tolerant quantum error correct…Dove: Abstract
Spin in semiconduttore2-qubit Si/SiGe processorQuTech, Delft University of TechnologyFedeltà della porta a un qubit≥ 99,5%Dispositivo singoloPreprint Xue et al., arXiv:2107.00628 (Nature 601, 343)Dove: abstract (arXiv abstract page)
Spin in semiconduttore2-qubit Si/SiGe processorQuTech, Delft University of TechnologyFedeltà della porta a due qubit99,65% ±0,15Dispositivo singoloPreprint Xue et al., arXiv:2107.00628 (Nature 601, 343)Dove: text: p.4 and Fig. 4, Extended Data Figs. 4 and 5
SuperconduttoreZuchongzhi 2.0 (66 qubits)University of Science and Technology of ChinaFedeltà della porta a un qubit99,86%MediaPreprint Wu et al., arXiv:2106.14734Dove: text: p.2
SuperconduttoreZuchongzhi 2.0 (66 qubits)University of Science and Technology of ChinaFedeltà della porta a un qubitErrore di Paulierrore 0,14%MediaPreprint Wu et al., arXiv:2106.14734Dove: text: p.2 (Fig. 2a)
SuperconduttoreZuchongzhi 2.0 (66 qubits)University of Science and Technology of ChinaFedeltà della porta a due qubit99,24%MediaPreprint Wu et al., arXiv:2106.14734Dove: text: p.2
SuperconduttoreZuchongzhi 2.0 (66 qubits)University of Science and Technology of ChinaFedeltà della porta a due qubitErrore di Paulierrore 0,59%MediaPreprint Wu et al., arXiv:2106.14734Dove: text: p.3 (Fig. 2c)
SuperconduttoreZuchongzhi 2.0 (66 qubits)University of Science and Technology of ChinaFedeltà di lettura95,23%MediaPreprint Wu et al., arXiv:2106.14734Dove: text: p.2
SuperconduttoreZuchongzhi 2.0 (66 qubits)University of Science and Technology of ChinaFedeltà di letturaerrore 4,52%MediaPreprint Wu et al., arXiv:2106.14734Dove: text: p.3 (Fig. 2b)
SuperconduttoreZuchongzhi 2.0 (66 qubits)University of Science and Technology of ChinaT1 (rilassamento di energia)30,6 µsMediaPreprint Wu et al., arXiv:2106.14734Dove: text: p.2 and Fig. S3
Spin in semiconduttore2 donor nuclei + shared electron, 28SiUNSW SydneyFedeltà della porta a un qubit99,95% ±0,02MigliorePreprint Madzik et al., arXiv:2106.03082 (Nature 601, 348)Dove: abstract (arXiv abstract page)
Spin in semiconduttore2 donor nuclei + shared electron, 28SiUNSW SydneyFedeltà della porta a due qubit99,37% ±0,11Dispositivo singoloPreprint Madzik et al., arXiv:2106.03082 (Nature 601, 348)Dove: abstract (arXiv abstract page)
Spin in semiconduttore2 donor nuclei + shared electron, 28SiUNSW SydneyFedeltà di preparazione e misura dello stato98,95% ±0,04Dispositivo singoloPreprint Madzik et al., arXiv:2106.03082 (Nature 601, 348)Dove: abstract (arXiv abstract page)
Superconduttorefixed-coupling transmons, crosstalk cancellationIBM; IBM Research - Thomas J. Watson Research CenterFedeltà della porta a due qubiterrore 0,19% ±0,02Dispositivo singoloPreprint Wei et al., arXiv:2106.00675Dove: abstract (arXiv abstract page)
SuperconduttoreTa-film transmon (dry-etched)Beijing Academy of Quantum Information SciencesT1 (rilassamento di energia)503 µsMigliorePreprint Wang et al., arXiv:2105.09890Dove: abstract
Superconduttoretransmon pair, SQiSW gateAlibaba GroupFedeltà della porta a due qubit99,72%MigliorePreprint Huang et al., arXiv:2105.06074Dove: abstract (arXiv abstract page)
Superconduttoretransmon pair, SQiSW gateAlibaba GroupFedeltà della porta a due qubit99,31%MediaPreprint Huang et al., arXiv:2105.06074Dove: abstract (arXiv abstract page)
Ione intrappolatoGTRI cryogenic surface-electrode trapGeorgia Tech Research InstituteFedeltà dello stato di Bell99,94% ±0,03Dispositivo singoloPreprint Clark et al., High-Fidelity Bell-State Preparation with ^{40}Ca^+ Optical Qubits, a…Dove: Abstract
Ione intrappolatoGTRI cryogenic surface-electrode trapGeorgia Tech Research InstituteDurata della porta a due qubit35 µsDispositivo singoloPreprint Clark et al., High-Fidelity Bell-State Preparation with ^{40}Ca^+ Optical Qubits, a…Dove: Abstract
Superconduttoretwo-transmon tunable-coupling deviceLawrence Berkeley National Laboratory; University of California, BerkeleyFedeltà della porta a due qubit99,43%Dispositivo singoloPreprint Mitchell et al., arXiv:2105.05384Dove: abstract (arXiv abstract page)
Superconduttoretwo transmons with tunable couplerRigetti ComputingFedeltà della porta a due qubit99,3%MigliorePreprint Sete et al., arXiv:2104.03511Dove: abstract (arXiv abstract page)
Superconduttorefluxonium on sapphireUniversity of MarylandT2 Ramsey1,48 ms ±0,13Dispositivo singoloPreprint Somoroff et al., arXiv:2103.08578Dove: abstract
Spin di difettosingle NV, spin-to-charge conversion readoutUniversity of Science and Technology of ChinaFedeltà di lettura≥ 95%Dispositivo singoloCon revisione paritaria High-fidelity single-shot readout of single electron spin in diamond with spin-to-c…Dove: abstract (text as indexed in the OpenAlex record W3090660094)
Superconduttorefour-chip modular processorRigetti ComputingFedeltà della porta a due qubit99,1% ±0,5MigliorePreprint Gold et al., arXiv:2102.13293Dove: abstract (arXiv abstract page)
Superconduttorefour-chip modular processorRigetti ComputingFedeltà della porta a due qubit98,3% ±0,3MigliorePreprint Gold et al., arXiv:2102.13293Dove: abstract (arXiv abstract page)
SuperconduttoreSycamore 21-qubit repetition-code deviceGoogle Quantum AIFedeltà della porta a due qubitErrore di Paulierrore 0,62%MedianaPreprint Google Quantum AI, arXiv:2102.06132Dove: text p.2 ("median Pauli error for the CZ gates is 0.62%")
Spin in semiconduttore300 mm wafer quantum dots, 28Si/28SiO2Intel (with imec and Delft)T1 (rilassamento di energia)≥ 1 sDispositivo singoloPreprint Zwerver et al., arXiv:2101.12650 (Nat. Electron. 5, 184)Dove: abstract (arXiv abstract page)
Superconduttorefixed-frequency transmons with tunable busIBM QuantumFedeltà della porta a due qubit99,85%MigliorePreprint Stehlik et al., arXiv:2101.07746Dove: abstract (maximum gate fidelity)
Superconduttore65-qubit laser-annealed processorIBM; IBM Research - Thomas J. Watson Research CenterFedeltà della porta a due qubit98,7%MedianaPreprint Zhang et al., arXiv:2012.08475Dove: abstract (arXiv abstract page)
Spin in semiconduttoreplanar Ge double quantum dotInstitute of Science and Technology AustriaT2 echo≥ 150 µsDispositivo singoloPreprint Jirovec et al., arXiv:2011.13755 (Nat. Mater. 20, 1106)Dove: abstract (arXiv abstract page)
Spin in semiconduttoreplanar Ge double quantum dotInstitute of Science and Technology AustriaT2* (decadimento libero)1 µsDispositivo singoloPreprint Jirovec et al., arXiv:2011.13755 (Nat. Mater. 20, 1106)Dove: abstract (arXiv abstract page)
Superconduttorefixed-frequency transmons, ZZ suppressionIBM; IBM Research - Thomas J. Watson Research CenterFedeltà della porta a due qubit99,77% ±0,02Dispositivo singoloPreprint Kandala et al., arXiv:2011.07050Dove: abstract (arXiv abstract page)
Superconduttoretwo capacitively coupled fluxoniumsUniversity of MarylandFedeltà della porta a due qubiterrore 0,008 ±0,001Dispositivo singoloPreprint Ficheux et al., arXiv:2011.02634Dove: abstract; text p.2
Superconduttoretwo capacitively coupled fluxoniumsUniversity of MarylandDurata della porta a due qubit61,6 nsDispositivo singoloPreprint Ficheux et al., arXiv:2011.02634Dove: abstract
Superconduttoretwo transmons with a tunable couplerMassachusetts Institute of Technology; MIT Lincoln LaboratoryFedeltà della porta a due qubit99,76% ±0,07Dispositivo singoloPreprint Sung et al., arXiv:2011.01261Dove: text: p.4 and Fig. 4 (abstract also prints it)
Superconduttoretwo transmons with a tunable couplerMassachusetts Institute of Technology; MIT Lincoln LaboratoryFedeltà della porta a due qubit99,87% ±0,23Dispositivo singoloPreprint Sung et al., arXiv:2011.01261Dove: text: p.7 and Fig. 5 (abstract also prints it)
SuperconduttoreIBM Falcon, six-qubit lineIBM QuantumFedeltà della porta a un qubiterrore 0,00038MediaPreprint Jurcevic et al., arXiv:2008.08571Dove: text: p.2
SuperconduttoreIBM Falcon, six-qubit lineIBM QuantumFedeltà della porta a due qubiterrore 0,0064MediaPreprint Jurcevic et al., arXiv:2008.08571Dove: text: p.2
SuperconduttoreIBM Falcon, six-qubit lineIBM QuantumFedeltà di letturaerrore 0,006MediaPreprint Jurcevic et al., arXiv:2008.08571Dove: text: p.2
SuperconduttoreIBM Falcon, six-qubit lineIBM QuantumT1 (rilassamento di energia)113 µsMediaPreprint Jurcevic et al., arXiv:2008.08571Dove: text: p.2 (Fig. 2b caption values)
Superconduttoremulti-transmon processor (SNZ CZ)QuTech, Delft University of TechnologyFedeltà della porta a due qubit99,93% ±0,24Dispositivo singoloPreprint Negirneac et al., arXiv:2008.07411Dove: abstract
Spin di difetto4H-SiC single spinArgonne National Laboratory / University of ChicagoT2 echo64 msDispositivo singoloCon revisione paritaria Miao et al., Science 369, 1493 (2020)Dove: abstract (text as indexed in the OpenAlex record W3024773714)
Spin di difetto4H-SiC single spinArgonne National Laboratory / University of ChicagoT2* (decadimento libero)≥ 22 msDispositivo singoloCon revisione paritaria Miao et al., Science 369, 1493 (2020)Dove: abstract (text as indexed in the OpenAlex record W3024773714)
Spin in semiconduttoreSi 2-qubit device above 1 KQuTech, Delft University of Technology / IntelDurata della porta a due qubit67 nsDispositivo singoloPreprint Petit et al., arXiv:2007.09034Dove: abstract (arXiv abstract page)
Superconduttorefixed-frequency transmons with tunable couplerSouthern University of Science and TechnologyFedeltà della porta a due qubit99,5%Dispositivo singoloPreprint Xu et al., arXiv:2006.11860Dove: abstract
Superconduttorefixed-frequency transmons with tunable couplerSouthern University of Science and TechnologyDurata della porta a due qubit30 nsDispositivo singoloPreprint Xu et al., arXiv:2006.11860Dove: abstract
Spin di difettoNV centre spins in 4H-SiCUniversity of Science and Technology of ChinaT2 echo17,1 µsDispositivo singoloCon revisione paritaria Coherent control of nitrogen-vacancy center spins in silicon carbide at room temper…Dove: abstract (text as indexed in the OpenAlex record W2975223887)
Superconduttoretwo-transmon device, tunable ZZ couplingETH ZurichFedeltà della porta a due qubit97,9%Dispositivo singoloPreprint Collodo et al., arXiv:2005.08863Dove: abstract (arXiv abstract page)
Spin in semiconduttorehighly purified 28Si/SiGe deviceForschungszentrum JulichT2 echo128 µsDispositivo singoloCon revisione paritaria Struck et al., npj Quantum Inf. 6, 40 (2020)Dove: abstract (text as indexed in the OpenAlex record W2975540947)
Spin in semiconduttorehighly purified 28Si/SiGe deviceForschungszentrum JulichT2* (decadimento libero)20 µsDispositivo singoloCon revisione paritaria Struck et al., npj Quantum Inf. 6, 40 (2020)Dove: abstract (text as indexed in the OpenAlex record W2975540947)
Superconduttoretwo-transmon device, parametric CZIBM Research - ZurichFedeltà della porta a due qubiterrore 0,9% ±0,03Dispositivo singoloPreprint Ganzhorn et al., arXiv:2005.05696Dove: abstract (arXiv abstract page)
Ione intrappolato43Ca+-88Sr+ mixed-species gateUniversity of OxfordFedeltà della porta a due qubit99,8% ±0,1Dispositivo singoloPreprint Hughes et al., arXiv:2004.08162Dove: abstract (arXiv abstract page)
Spin in semiconduttoreresonantly driven ST qubitRIKEN Center for Emergent Matter ScienceFedeltà della porta a un qubit99,6%Dispositivo singoloCon revisione paritaria Takeda et al., Phys. Rev. Lett. 124, 117701 (2020)Dove: abstract (text as indexed in the OpenAlex record W2977975675)
Spin in semiconduttoreresonantly driven ST qubitRIKEN Center for Emergent Matter ScienceT2* (decadimento libero)≥ 1 µsDispositivo singoloCon revisione paritaria Takeda et al., Phys. Rev. Lett. 124, 117701 (2020)Dove: abstract (text as indexed in the OpenAlex record W2977975675)
Ione intrappolatoHoneywell QCCD system (H0)Honeywell Quantum Solutions (now Quantinuum)Fedeltà della porta a un qubit99,989% ±0,003MediaPreprint Pino et al., Demonstration of the trapped-ion quantum-CCD computer architecture, ar…Dove: Table I (p4)
Ione intrappolatoHoneywell QCCD system (H0)Honeywell Quantum Solutions (now Quantinuum)Fedeltà della porta a due qubit99,21% ±0,04MediaPreprint Pino et al., Demonstration of the trapped-ion quantum-CCD computer architecture, ar…Dove: Table I (p4)
Ione intrappolatoHoneywell QCCD system (H0)Honeywell Quantum Solutions (now Quantinuum)Fedeltà di preparazione e misura dello stato99,7% ±0,1MediaPreprint Pino et al., Demonstration of the trapped-ion quantum-CCD computer architecture, ar…Dove: Table I (p4)
Ione intrappolatoHoneywell QCCD system (H0)Honeywell Quantum Solutions (now Quantinuum)T2 echo2 sDispositivo singoloPreprint Pino et al., Demonstration of the trapped-ion quantum-CCD computer architecture, ar…Dove: Sec. on qubit and gate set (p3)
Spin in semiconduttoreSi quantum dot QND readoutRIKEN CEMS / Tokyo Institute of Technology / UNSWFedeltà di lettura95%MiglioreCon revisione paritaria Yoneda et al., Nat. Commun. 11, 1144 (2020)Dove: abstract (text as indexed in the OpenAlex record W3009294641)
SuperconduttoreTa-on-sapphire transmon, best devicePrinceton UniversityT1 (rilassamento di energia)0,3 msMigliorePreprint Place et al., arXiv:2003.00024Dove: text: p.3 (Fig. 2B), best device, time-averaged
SuperconduttoreTa-on-sapphire transmonsPrinceton UniversityT1 (rilassamento di energia)0,23 msMediaPreprint Place et al., arXiv:2003.00024Dove: text: p.3, average across all devices
SuperconduttoreTa-on-sapphire transmon, best devicePrinceton UniversityT2 con disaccoppiamento dinamico0,38 ms ±0,11Dispositivo singoloPreprint Place et al., arXiv:2003.00024Dove: text: p.3-4 (Fig. 2D), CPMG, best device
SuperconduttoreTa-on-sapphire transmon, best devicePrinceton UniversityT2 echo0,2 ms ±0,03Dispositivo singoloPreprint Place et al., arXiv:2003.00024Dove: text: p.3 (Fig. 2C), best device
Superconduttoreheavy fluxoniumUniversity of ChicagoFedeltà della porta a un qubit99,8%Dispositivo singoloPreprint Zhang et al., arXiv:2002.10653Dove: abstract
Superconduttoregmon qubit pairs (fSim gate set)Google AI QuantumFedeltà della porta a due qubitErrore di Paulierrore 0,0038MediaPreprint Foxen et al., arXiv:2001.08343Dove: abstract
Atomo neutroCaltech 88Sr Rydberg tweezer arrayCaltechFedeltà dello stato di Bell≥ 99,1% ±0,4MediaPreprint Madjarov et al., High-Fidelity Entanglement and Detection of Alkaline-Earth Rydberg…Dove: p2 table and text
Atomo neutroCaltech 88Sr Rydberg tweezer arrayCaltechFedeltà dello stato di Bell≥ 98% ±0,3MediaPreprint Madjarov et al., High-Fidelity Entanglement and Detection of Alkaline-Earth Rydberg…Dove: p2 table and text
Superconduttoretwo-transmon pair, XY gate familyRigetti ComputingFedeltà della porta a due qubit97,35% ±0,17MedianaPreprint Abrams et al., arXiv:1912.04424Dove: abstract (arXiv abstract page)
Superconduttoretwo-transmon pair, XY gate familyRigetti ComputingFedeltà della porta a due qubit99,01% ±0,15MigliorePreprint Abrams et al., arXiv:1912.04424Dove: abstract (arXiv abstract page)
Spin in semiconduttoresingle-spin qubit in enriched 28SiCQC2T, UNSW Sydney / Aalto UniversityT2* (decadimento libero)1,4 µsDispositivo singoloCon revisione paritaria Zhao et al., Nat. Commun. 10, 5500 (2019)Dove: abstract (text as indexed in the OpenAlex record W2992784851)
Spin in semiconduttore2-qubit Si/SiGe device (QND readout)QuTech, Delft University of TechnologyFedeltà di lettura94,5% ±0,2Dispositivo singoloPreprint Xue et al., arXiv:1911.08420 (Phys. Rev. X 10, 021006)Dove: abstract (arXiv abstract page)
Ione intrappolatotwo-ion symmetric-subspace benchmarkingHoneywell Quantum Solutions (now Quantinuum)Fedeltà della porta a due qubiterrore 0,002 ±0,001Dispositivo singoloPreprint Baldwin et al., arXiv:1911.00085Dove: abstract (arXiv abstract page)
SuperconduttoreSycamore (53 qubits used)Google AI QuantumFedeltà della porta a un qubitErrore di Paulierrore 0,16% ±0,05MediaPreprint Google AI Quantum, arXiv:1910.11333 (Supplementary information of Nature 574, 505)Dove: Supplement Table II (p.22), 1Q XEB e1 simultaneous
SuperconduttoreSycamore (53 qubits used)Google AI QuantumFedeltà della porta a un qubitErrore di Paulierrore 0,14%MedianaPreprint Google AI Quantum, arXiv:1910.11333 (Supplementary information of Nature 574, 505)Dove: Supplement Table II (p.22), 1Q XEB e1 simultaneous
SuperconduttoreSycamore (53 qubits used)Google AI QuantumFedeltà della porta a due qubitErrore di Paulierrore 0,36% ±0,17MediaPreprint Google AI Quantum, arXiv:1910.11333 (Supplementary information of Nature 574, 505)Dove: Supplement Table II (p.22), 2Q XEB e2 isolated
SuperconduttoreSycamore (53 qubits used)Google AI QuantumFedeltà della porta a due qubitErrore di Paulierrore 0,62% ±0,24MediaPreprint Google AI Quantum, arXiv:1910.11333 (Supplementary information of Nature 574, 505)Dove: Supplement Table II (p.22), 2Q XEB e2 simultaneous
SuperconduttoreSycamore (53 qubits used)Google AI QuantumFedeltà della porta a due qubitErrore di Paulierrore 0,6%MedianaPreprint Google AI Quantum, arXiv:1910.11333 (Supplementary information of Nature 574, 505)Dove: Supplement Table II (p.22), 2Q XEB e2 simultaneous
SuperconduttoreSycamore (53 qubits used)Google AI QuantumFedeltà di letturaerrore 3,77% ±1,61MediaPreprint Google AI Quantum, arXiv:1910.11333 (Supplementary information of Nature 574, 505)Dove: Supplement Table II (p.22), measurement error em simultaneous
SuperconduttoreSycamore (53 qubits used)Google AI QuantumT1 (rilassamento di energia)16,04 µs ±4MediaPreprint Google AI Quantum, arXiv:1910.11333 (Supplementary information of Nature 574, 505)Dove: Supplement Table II (p.22)
SuperconduttoreSycamore (53 qubits used)Google AI QuantumT1 (rilassamento di energia)15,54 µsMedianaPreprint Google AI Quantum, arXiv:1910.11333 (Supplementary information of Nature 574, 505)Dove: Supplement Table II (p.22)
Spin di difettosingle NV in 12C-enriched diamondKyoto University / AISTT2 echo2,4 msDispositivo singoloCon revisione paritaria Herbschleb et al., Nat. Commun. 10, 3766 (2019)Dove: abstract (text as indexed in the OpenAlex record W2970744406)
Spin di difettosingle NV in 12C-enriched diamondKyoto University / AISTT2* (decadimento libero)1,5 msDispositivo singoloCon revisione paritaria Herbschleb et al., Nat. Commun. 10, 3766 (2019)Dove: abstract (text as indexed in the OpenAlex record W2970744406)
Atomo neutroHarvard five-pair parallel Rydberg experimentHarvard UniversityFedeltà della porta a due qubit≥ 97,4% ±0,3MediaPreprint Levine et al., Parallel implementation of high-fidelity multi-qubit gates with neut…Dove: Abstract
SuperconduttoreKerr-cat nonlinear resonator (Fock qubit)Yale UniversityT1 (rilassamento di energia)15,5 µsDispositivo singoloPreprint Grimm et al., arXiv:1907.12131Dove: text p.2 and parameter table p.16
SuperconduttoreKerr-cat nonlinear resonator (Fock qubit)Yale UniversityT2 echo13,7 µsDispositivo singoloPreprint Grimm et al., arXiv:1907.12131Dove: parameter table p.16
SuperconduttoreKerr-cat nonlinear resonator (Fock qubit)Yale UniversityT2 Ramsey3,4 µsDispositivo singoloPreprint Grimm et al., arXiv:1907.12131Dove: parameter table p.16
Ione intrappolato17-ion 171Yb+ chainJoint Center for Quantum Information and Computer Science; Joint Quantum InstituteFedeltà della porta a due qubit97% ±1MigliorePreprint Landsman et al., arXiv:1905.10421Dove: abstract (arXiv abstract page)
Spin in semiconduttoreGe/SiGe planar 2-qubit deviceQuTech, Delft University of TechnologyFedeltà della porta a un qubit99,3%Dispositivo singoloPreprint Hendrickx et al., arXiv:1904.11443 (Nature 577, 487)Dove: abstract (arXiv abstract page)
Spin in semiconduttoreGe/SiGe planar 2-qubit deviceQuTech, Delft University of TechnologyDurata della porta a due qubit75 nsDispositivo singoloPreprint Hendrickx et al., arXiv:1904.11443 (Nature 577, 487)Dove: abstract (arXiv abstract page)
Spin in semiconduttoreSi/SiGe two-qubit deviceQuTech, Delft University of TechnologyFedeltà della porta a due qubit92%Dispositivo singoloCon revisione paritaria Xue et al., Phys. Rev. X 9, 021011 (2019)Dove: abstract (text as indexed in the OpenAlex record W2899729961)
Ione intrappolatoIonQ 11-qubit system (13 ions)IonQ, University of Maryland, Duke UniversityFedeltà della porta a un qubit99,5%MediaPreprint Wright et al., Benchmarking an 11-qubit quantum computer, arXiv:1903.08181Dove: Abstract
Ione intrappolatoIonQ 11-qubit system (13 ions)IonQ, University of Maryland, Duke UniversityFedeltà della porta a due qubit97,5%MediaPreprint Wright et al., Benchmarking an 11-qubit quantum computer, arXiv:1903.08181Dove: Abstract
Ione intrappolatoIonQ 11-qubit system (13 ions)IonQ, University of Maryland, Duke UniversityFedeltà di preparazione e misura dello stato99,3%MediaPreprint Wright et al., Benchmarking an 11-qubit quantum computer, arXiv:1903.08181Dove: Abstract
Superconduttoretwo-transmon processor, flux-pulsed CZQuTech; Delft University of TechnologyFedeltà della porta a due qubit99,1%Dispositivo singoloPreprint Rol et al., arXiv:1903.02492Dove: abstract (arXiv abstract page)
Spin in semiconduttore2-qubit unit cell, 28SiUNSW SydneyFedeltà della porta a un qubit98,6%Dispositivo singoloPreprint Yang et al., arXiv:1902.09126 (Nature 580, 350)Dove: abstract (arXiv abstract page)
Spin in semiconduttore2-qubit unit cell, 28SiUNSW SydneyT2* (decadimento libero)2 µsDispositivo singoloPreprint Yang et al., arXiv:1902.09126 (Nature 580, 350)Dove: abstract (arXiv abstract page)
Ione intrappolatoInnsbruck ion-trap quantum computer (up to 10 qubits)University of InnsbruckFedeltà della porta a due qubit99,6% ±0,1Dispositivo singoloPreprint Erhard et al., Characterizing large-scale quantum computers via cycle benchmarking,…Dove: Abstract
Ione intrappolatoPTB/Hannover microwave near-field trapPTB Braunschweig, Leibniz Universitat HannoverFedeltà della porta a due qubit98,2% ±1,2Dispositivo singoloPreprint Hahn et al., Integrated ^{9}Be^{+} multi-qubit gate device for the ion-trap quantum…Dove: Abstract
Superconduttoretwo-transmon device with parametric entangling gateRigetti ComputingFedeltà della porta a due qubit99,2% ±0,15MigliorePreprint Hong et al., arXiv:1901.08035Dove: abstract (arXiv abstract page)
Spin in semiconduttoredonor quantum dots in SiCQC2T, UNSW SydneyFedeltà di lettura82,9%MediaCon revisione paritaria Keith et al., Phys. Rev. X 8, 041032 (2018)Dove: abstract (text as indexed in the OpenAlex record W2890936036)
Superconduttoretwo-transmon tunable-coupler circuitPrinceton UniversityFedeltà della porta a due qubit94,8%Dispositivo singoloPreprint Mundada et al., arXiv:1810.04182Dove: abstract (arXiv abstract page)
Spin in semiconduttoreGe hut-wire hole qubitInstitute of Science and Technology Austria / Johannes Kepler University LinzT2* (decadimento libero)0,13 µsDispositivo singoloCon revisione paritaria Watzinger et al., Nat. Commun. 9, 3902 (2018)Dove: abstract (text as indexed in the OpenAlex record W2891060065)
Spin di difettoNV with carbon-13 spin environmentQuTech, Delft University of Technology / Element SixT2 con disaccoppiamento dinamico≥ 1 sDispositivo singoloCon revisione paritaria Abobeih et al., Nat. Commun. 9, 2552 (2018)Dove: abstract (text as indexed in the OpenAlex record W2781890679)
Spin in semiconduttoreSi/SiGe quantum dotSandia National Laboratories / Institut quantique, Universite de SherbrookeFedeltà di lettura≥ 99,86%Dispositivo singoloCon revisione paritaria Harvey-Collard et al., Phys. Rev. X 8, 021046 (2018)Dove: abstract (text as indexed in the OpenAlex record W2607225345)
Spin in semiconduttore2-qubit SiMOS device 28SiUNSW SydneyFedeltà della porta a due qubit94,7%Dispositivo singoloPreprint Huang et al., arXiv:1805.05027 (Nature 569, 532)Dove: abstract (arXiv abstract page)
Spin in semiconduttore2-qubit SiMOS device 28SiUNSW SydneyFedeltà della porta a due qubit98%Dispositivo singoloPreprint Huang et al., arXiv:1805.05027 (Nature 569, 532)Dove: abstract (arXiv abstract page)
Spin di difettosingle SiV- centreHarvard University / Universitat UlmFedeltà di lettura89%Dispositivo singoloCon revisione paritaria Sukachev et al., Phys. Rev. Lett. 119, 223602 (2017)Dove: abstract (text as indexed in the OpenAlex record W2769928943)
Spin di difettosingle SiV- centreHarvard University / Universitat UlmT1 (rilassamento di energia)≥ 1 sDispositivo singoloCon revisione paritaria Sukachev et al., Phys. Rev. Lett. 119, 223602 (2017)Dove: abstract (text as indexed in the OpenAlex record W2769928943)
Ione intrappolatofast two-qubit gate in a trapped-ion pairUniversity of OxfordFedeltà della porta a due qubit99,8%Dispositivo singoloPreprint Schäfer et al., arXiv:1709.06952Dove: abstract (arXiv abstract page)
Spin in semiconduttore2-qubit Si/SiGe device (CNOT)Princeton UniversityFedeltà della porta a un qubit≥ 99%Dispositivo singoloPreprint Zajac et al., arXiv:1708.03530 (Science 359, 439)Dove: abstract (arXiv abstract page)
Spin in semiconduttore2-qubit Si/SiGe device (CNOT)Princeton UniversityDurata della porta a due qubit200 nsDispositivo singoloPreprint Zajac et al., arXiv:1708.03530 (Science 359, 439)Dove: abstract (arXiv abstract page)
Spin in semiconduttoreisotopically enriched Si/SiGe single qubitRIKEN / University of TokyoFedeltà della porta a un qubit≥ 99,9%MediaPreprint Yoneda et al., arXiv:1708.01454 (Nat. Nanotechnol. 13, 102)Dove: abstract (arXiv abstract page)
Spin in semiconduttoreisotopically enriched Si/SiGe single qubitRIKEN / University of TokyoT2* (decadimento libero)20 µsDispositivo singoloPreprint Yoneda et al., arXiv:1708.01454 (Nat. Nanotechnol. 13, 102)Dove: abstract (arXiv abstract page)
Superconduttorefour-qubit linear array (parametric gates)Rigetti ComputingFedeltà della porta a due qubit93%MediaPreprint Reagor et al., arXiv:1706.06570Dove: abstract ("average process fidelity of F = 93% ... three two-qubit gates")
Superconduttoretransmon pair with parametric iSWAPRigetti ComputingFedeltà della porta a due qubiterrore 6%Dispositivo singoloPreprint Caldwell et al., arXiv:1706.06562Dove: abstract (arXiv abstract page)
Superconduttoretransmon pair with parametric CZRigetti ComputingFedeltà della porta a due qubiterrore 9%Dispositivo singoloPreprint Caldwell et al., arXiv:1706.06562Dove: abstract (arXiv abstract page)
Spin di difettosingle SiV- centreUniversity of Cambridge / Saarland University / Element SixT2* (decadimento libero)0,115 µs ±0,009Dispositivo singoloCon revisione paritaria Coherent control of the silicon-vacancy spin in diamond, Nat. Commun. 8, 15579 (201…Dove: abstract (text as indexed in the OpenAlex record W2582552126)
Spin di difettoweakly coupled 13C nuclear spinBeijing Computational Science Research Center / Chinese University of Hong KongFedeltà di lettura95,5%Dispositivo singoloCon revisione paritaria Single-shot readout of a nuclear spin weakly coupled to a nitrogen-vacancy center a…Dove: abstract (text as indexed in the OpenAlex record W2564881160)
Spin in semiconduttoreGaAs double-quantum-dot qubitsHarvard UniversityFedeltà della porta a un qubit99%Dispositivo singoloCon revisione paritaria Nichol et al., npj Quantum Inf. 3, 3 (2017)Dove: abstract (text as indexed in the OpenAlex record W2518047199)
Spin in semiconduttoreGaAs double-quantum-dot qubitsHarvard UniversityFedeltà della porta a due qubit90%Dispositivo singoloCon revisione paritaria Nichol et al., npj Quantum Inf. 3, 3 (2017)Dove: abstract (text as indexed in the OpenAlex record W2518047199)
Ione intrappolatoTsinghua Yb+/Ba+ sympathetic-cooling trapTsinghua UniversityT2 echo≥ 600 sDispositivo singoloPreprint Wang et al., Single-qubit quantum memory exceeding 10-minute coherence time, arXiv:…Dove: Abstract; Sec. 1
Spin in semiconduttoreSi/SiGe single-qubit deviceQuTech, Delft University of TechnologyFedeltà della porta a un qubit99%Dispositivo singoloCon revisione paritaria Kawakami et al., PNAS 113, 11738 (2016)Dove: abstract (text as indexed in the OpenAlex record W2278413838)
Spin di difettodivacancy ensemble, natural isotopic 4H-SiCArgonne National Laboratory / University of ChicagoT2 echo1,3 msMiglioreCon revisione paritaria Seo et al., Nat. Commun. 7, 12935 (2016)Dove: abstract (text as indexed in the OpenAlex record W2410085339)
Ione intrappolatomicrofabricated surface trap, near-field microwave gateUniversity of OxfordFedeltà della porta a due qubit99,7% ±0,1Dispositivo singoloPreprint Harty et al., arXiv:1606.08409Dove: abstract (arXiv abstract page)
Ione intrappolatoNIST 9Be+ laser-gate systemNIST BoulderFedeltà della porta a un qubit99,9962% ±0,0001Dispositivo singoloPreprint Gaebler et al., High-Fidelity Universal Gate Set for ^9Be^+ Ion Qubits, arXiv:1604.…Dove: Abstract
Ione intrappolatoNIST 9Be+ laser-gate systemNIST BoulderFedeltà della porta a due qubit99,92% ±0,04Dispositivo singoloPreprint Gaebler et al., High-Fidelity Universal Gate Set for ^9Be^+ Ion Qubits, arXiv:1604.…Dove: Abstract
Ione intrappolatoJQI/UMD five-qubit programmable computerUniversity of Maryland (JQI)Fedeltà della porta a due qubit98%MediaPreprint Debnath et al., Demonstration of a small programmable quantum computer with atomic…Dove: Abstract
Superconduttorefixed-frequency transmon pair (cross resonance)IBM T.J. Watson Research CenterFedeltà della porta a due qubit0,991 ±0,002Dispositivo singoloPreprint Sheldon et al., arXiv:1603.04821Dove: text p.2 ("CR gate fidelity f = 0.991 +/- 0.002 for a 160 ns gate")
Superconduttorefixed-frequency transmon pair (cross resonance)IBM T.J. Watson Research CenterDurata della porta a due qubit160 nsDispositivo singoloPreprint Sheldon et al., arXiv:1603.04821Dove: text p.2
Ione intrappolatoSussex microwave-gate trapUniversity of SussexFedeltà dello stato di Bell98,5% ±1,2Dispositivo singoloPreprint Weidt et al., Trapped-ion quantum logic with global radiation fields, arXiv:1603.03…Dove: Abstract
Spin in semiconduttorenatural-Si double dotRIKEN Center for Emergent Matter ScienceFedeltà della porta a un qubit99,6%Dispositivo singoloPreprint Takeda et al., arXiv:1602.07833 (Sci. Adv. 2, e1600694)Dove: abstract (arXiv abstract page)
Superconduttorecavity memory with transmon ancillaYale UniversityT1 (rilassamento di energia)250 µsDispositivo singoloPreprint Ofek et al., arXiv:1602.04768Dove: text p.2, resonator single-photon Fock relaxation time (approximate as printed)
Superconduttoreancilla transmonYale UniversityT1 (rilassamento di energia)35 µsDispositivo singoloPreprint Ofek et al., arXiv:1602.04768Dove: text p.2, ancilla transmon (approximate as printed)
Ione intrappolatotwo 43Ca+ ions in a room-temperature trapUniversity of OxfordFedeltà della porta a due qubit99,9% ±0,1Dispositivo singoloPreprint Ballance et al., arXiv:1512.04600 (Phys. Rev. Lett. 117, 060504)Dove: abstract and text: p.1

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@misc{scienceshot-registro-prestazioni-qubit-2026,
  author = {{ScienceShot}},
  title  = {{Registro delle prestazioni dei qubit, versione 2026-11-09}},
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